余岳辉
- 作品数：144 被引量：271H指数：10
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术经济管理更多>>
- 预充电荷对RSD开通特性的影响被引量：12
- 2003年
- RSD(ReverselySwitchedDynistors)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件,采用控制等离子体层触发的开通模式。从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响,给出了RSD的开通条件,实验结果与理论分析相符。最后,提出了几种改善RSD开通特性的方法。
- 杜如峰余岳辉胡乾彭昭廉
- 关键词：半导体器件预充电荷开通特性
- 多元胞结构的半导体放电管浪涌能力研究被引量：5
- 2001年
- 鉴于半导体放电管工作时的最高温升决定其浪涌能力 ,通过对器件进行温度场模拟 ,可以明显地看出基片厚度、载流子浓度以及元胞数对器件温升的影响 .因此对不同厚度、杂质浓度的 16元胞放电管进行了浪涌实验 .模拟和实验结果均表明 ,增加元胞数、选择均匀性好和较薄的衬底材料以及采用低扩散浓度方法可以减少放电管工作时的温升 。
- 徐春华余岳辉彭昭廉黄秋芝
- 关键词：半导体放电管浪涌能力温升载流子浓度
- 薄发射区晶闸管结构及特性的研究被引量：2
- 1993年
- 在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性.
- 余岳辉徐静平陈涛彭昭廉
- 关键词：晶闸管通态特性
- 基于DSP的优化空间矢量脉宽调制研究被引量：10
- 2006年
- 提出了一种新颖的便于DSP数字实现的五段法SVM算法,对各扇区开关信号及其形成原理进行了详细讨论,给出了其余算法流程的简洁结论和此算法的双重傅里叶分析。在不同载波比N和调制度M下,用MATLAB软件对五段法SVPWM调制波信号、直流电压利用率及输出电压谐波等进行了仿真分析研究,得到了影响SVPWM总体性能的几个主要因素。在TMS320F2812 DSP上实现了此算法,验证了理论分析及仿真结果。
- 张卫丰余岳辉
- 关键词：调制波谐波TMS320F2812
- RSD开关状态电流测量被引量：1
- 2007年
- 简要介绍了反向导通双晶复合晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD)的开关工作原理,在分析RSD脉冲发生电路的基础上,得出RSD状态电流表达式。详细分析了用于状态电流测量的罗果夫斯基线圈(Rogowski Coil)传感器在自积分和外积分两种工作状态下的相位误差。在理论分析的基础上,根据RSD开关状态电流测量的实际情况,提出了利用罗果夫斯基线圈传感器外积分工作状态测量RSD开关电流的方案。实验结果与理论分析相符。实际运行情况表明,该电流测量方案能对RSD开关状态电流进行快速、准确和可靠的测量。
- 张德会徐雁余岳辉梁琳
- 关键词：半导体元器件晶体管传感器
- 基于RSD开关的集成模块仿真与实验
- RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种专门应用于脉冲功率领域的半导体开关器件,该器件采用可控等离子体层触发的开通模式.功率集成技术可实现功率系统的高功率密度、高效率、高可靠性以及低成本,是...
- 常文光梁琳陈昌栋余岳辉
- 关键词：反向开关晶体管仿真软件
- 文献传递
- RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究
- 基于反向预冲电流下在器件内建立均匀等高子体层的开通原理，反向开通复合管具有在整个芯片面积上均匀开通、容易串并联的优点。本文通过理论和试验研究，得到了在不同放电电压、不同电阻负载下电压与脉冲电流峰值的关系.结果表明：同一负...
- 彭亚斌余岳辉梁琳王玉彬
- 关键词：脉冲开关脉冲功率源
- 文献传递
- 大功率超高速半导体开关的换流特性研究被引量：8
- 2007年
- 研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点。利用单次脉冲试验平台研究了RSD的开通机理及高密度能量转换、允许通过的峰值电流、开通条件与预充、准静态损耗及其di/dt等多项特性。根据经验公式,对小直径RSD做极限电流试验,φ20mm的RSD堆体通过了19.9kA脉冲电流(脉宽30μs)。通过减小主回路电感考核了RSD的高di/dt耐量特性,放电电压3kV时得到di/dt接近8kA/μs。
- 余岳辉梁琳颜家圣彭亚斌
- 关键词：大功率开关反向开关晶体管开通特性DI/DT
- PECVD多晶硅膜的计算机模拟
- 1993年
- 在LPCVD理论模型基础上,通过引进“电子温度”,对 PECVD多晶硅膜进行了计算机模拟分析.结果表明,射频功率和反应室气压是影响PECVD淀积速率分布的两个主要因素,且两者受p=kW线性关系的制约,即对于一定的射频功率,总可选择一合适的反应室气压,使淀积速率分布最佳.实验结果与理论分析相吻合.
- 徐静平余岳辉陈涛彭昭廉
- 关键词：半导体多晶硅膜PECVD计算机模拟
- 脉冲功率用半导体功率器件动向及进展
- 介绍了脉冲功率用半导体功率器件发展动向、热点研究问题，同时结合研究实际介绍了新型脉冲功率器件近年来在单次和重复频率脉冲开关方面取得的新进展。
- 余岳辉梁琳彭亚斌
- 关键词：重复频率RSD
- 文献传递
