任学峰
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型被引量：1
- 2008年
- 提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果。与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的I-V特性更加吻合。
- 任学峰杨银堂贾护军
- 关键词：4H-碳化硅Ⅰ-Ⅴ特性解析模型
- 4H-SiC MESFET的非线性大信号模型
- 基于大信号建模的方法和理论，分析了各种建模方法，为研究MESFET大信号建模提供了方法上的比较。在4H-SiC MESFET建模过程中，基于器件物理机制和物理结构考虑的物理模型已成为当前大信号特性建模的首选模型，这种模型...
- 任学峰杨银堂贾护军
- 关键词：4H-SICMESFET大信号建模物理模型
- 文献传递
- 4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
- 2008年
- 提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。在器件设计初期,可以有效地预测器件的工作状态。
- 任学峰杨银堂贾护军
- 关键词：I-V特性解析模型
