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丁国庆

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉工业大学更多>>
发文基金：湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇摇摆曲线
  • 2篇射线衍射
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇X射线衍射
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结构材料
  • 1篇XPS
  • 1篇MOCVD

机构

  • 3篇武汉工业大学

作者

  • 3篇孙文华
  • 3篇魏铭鉴
  • 3篇丁国庆
  • 2篇崔光杰
  • 1篇王典芬

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇光通信研究

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
1997年
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。
王典芬丁国庆魏铭鉴孙文华
关键词：XPSMOCVD
InGaAsP／InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹
1995年
讨论了ＭＯＣＶＤ外延膜Ｘ射线衍射摇摆曲线中干涉指纹的各种特征。指出了由干涉指纹测定薄膜厚度的精确性。研究了影响干涉指纹的因素，为正确识辨材料结构和改进生长工艺提供方便。
丁国庆孙文华魏铭鉴崔光杰
关键词：摇摆曲线化合物半导体
InGaAsP／InP异质结构材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹研究
1995年
双晶衍射摇摆曲线的全面分析需用计算机模拟高木方程才能得到，其信息广但不直观。本文讨论了ＭＯＣＶＤ外延片Ｘ射线衍射中的干涉指纹，指出了用干涉指纹测试薄膜厚度的精确性，讨论了干涉指纹出现的一些特征，使能直观地得到一些外延片的结构信息，为识别和正确使用干涉指纹估算薄层厚度提供依据。
丁国庆魏铭鉴孙文华崔光杰
关键词：摇摆曲线化合物半导体X射线衍射
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