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黎俐

作品数：28 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇电压
  • 6篇电阻
  • 6篇振荡器
  • 5篇电平位移
  • 5篇功耗
  • 4篇电路
  • 4篇电平
  • 4篇电源
  • 4篇偏置
  • 4篇回路电阻
  • 4篇比较器
  • 3篇单端
  • 3篇单端输出
  • 3篇低功耗
  • 3篇电流采样
  • 3篇电流采样电路
  • 3篇电源电路
  • 3篇芯片
  • 3篇开关电源
  • 3篇负反馈

机构

  • 28篇电子科技大学

作者

  • 28篇黎俐
  • 26篇方健
  • 20篇杨毓俊
  • 16篇唐莉芳
  • 13篇管超
  • 13篇潘福跃
  • 12篇王泽华
  • 12篇吴琼乐
  • 12篇陈吕赟
  • 12篇柏文斌
  • 8篇吴杰
  • 8篇陶垠波
  • 6篇臧凯旋
  • 4篇向莉
  • 3篇梁晨陇
  • 3篇李曼
  • 2篇赵前利
  • 2篇贾姚瑶
  • 2篇潘华
  • 2篇黄帅

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 16篇2012
  • 5篇2011
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成变压器
本发明公开了一种集成变压器，具体包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈和次级线圈包括至少一个第一导体层导线、至少一个第二导体层导线和至少一个连接孔。本发明利用相邻的两层导体构成的空心互耦线圈形成集成变压器，所述的集成变压器...
方健杨毓俊黎俐唐莉芳王泽华柏文斌陈吕赟吴琼乐管超李曼梁晨陇
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用于BOOST变换器中的脉宽控制电路
本发明公开了一种用于BOOST变换器中的脉宽控制电路，具体包括：一V-I变换器、一电容元件、一恒流源、第一反相器、第二反相器、一二输入与门、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管。本发明的脉宽控制电路采用了V-I...
方健潘福跃唐莉芳黎俐
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RC振荡器
本发明公开了一种RC振荡器，包括：偏置电压产生电路、充放电电流产生电路、充放电电路、外部迟滞电压产生和选通电路、内部迟滞比较器和反馈控制信号产生电路。本发明的RC振荡器采用内外迟滞比较器，使得基准电流和基准电压都随外部电...
方健唐莉芳潘福跃黎俐
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一种电荷泵电路
本发明公开了一种电荷泵电路，包括：偏置单元、第一充放电单元、第一互补电路单元和第一运放单元，其特征在于，还包括，第二充放电单元、第二互补电路单元和第二运放单元。本发明的电荷泵电路通过第一互补电路单元和第二互补电路单元以及...
方健黎俐贾姚瑶唐莉芳潘福跃吴杰潘华黄帅赵前利
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一种开关电源电路
本发明公开了一种开关电源电路，包括：开关管，第一分压电阻、第二分压电阻，电感元件，续流二极管，负载单元，负载电流检测单元，比较器，D锁存器，模数转换器，数模转换器，PWM工作模式栅驱动电压产生单元，第一放大器，PWM比较...
方健陶垠波吴杰潘福跃杨毓俊唐莉芳黎俐臧凯旋
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一种电流采样电路
本实用新型公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输...
方健王泽华吴琼乐陈吕赟管超柏文斌杨毓俊黎俐
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一种三阶补偿带隙基准电压源
本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源，包括：第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源，提供了一种简单的三...
方健吴杰杨毓俊陶垠波臧凯旋唐莉芳黎俐潘福跃谷洪波
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一种三阶补偿带隙基准电压源
本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源，包括：第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源，提供了一种简单的三...
方健吴杰杨毓俊陶垠波臧凯旋唐莉芳黎俐潘福跃谷洪波
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件，包括衬底、位于衬底之上的外延层，位于外延层之上靠漏区一侧且下表面与外延层的下表面重合的漂移区，位于LDMOS器件两端的漏区和源区，在衬底和外延层的交界面上跨过外延层的下表面具有交替排列的...
方健陈吕赟管超王泽华吴琼乐柏文斌杨毓俊黎俐
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一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件
本发明涉及一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括衬底、埋氧层、漂移区、第一阴极区、阴极体区、缓冲层、第一阳极区、第二阴极区、阴极金属电极、阳极金属电极、多晶硅栅、氧化层、衬底金属电极，在阳极端的阳极金属电极下表面位置...
方健陈吕赟柏文斌王泽华吴琼乐管超李文昌于廷江杨毓俊黎俐
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