高飞
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术化学工程一般工业技术更多>>
- 硅和锗量子计算材料研究进展被引量：2
- 2021年
- 半导体量子点量子计算是实现固态量子计算的重要途径之一,高质量量子计算材料制备是其中的关键.硅和锗材料能够实现无核自旋的同位素纯化,满足量子比特对长退相干时间的要求,同时与当前的硅工艺兼容,是实现半导体量子计算的重要材料平台.本文首先概述了近年来半导体量子点量子计算领域取得的重要进展,然后详细介绍了硅基硅/硅锗异质结、锗/硅锗异质结以及锗/硅一维线的制备方法、材料性质以及相应量子器件的研究进展,最后对需要解决的关键技术问题以及未来的发展方向进行了展望.
- 张结印高飞张建军
- 关键词：硅锗异质结纳米线量子计算
- 金属插层共价有机框架物
- 本发明公开了一种金属插层共价有机框架物，由二维共价有机框架物和金属原子依次交替堆垛形成。本发明的金属插层共价有机框架物稳定且有序，避免了金属原子形成团簇，并具有较强活性位点。此外，本发明还具有结构蓬松、比表面积大等优点，...
- 高飞孟胜
- 文献传递
- 混合相结构层状氧化物材料及其制备方法和用途
- 本发明实施例涉及一种混合相结构层状氧化物材料及其制备方法和用途，所述混合相结构层状氧化物材料，化学通式为：Na<Sub>x</Sub>Ni<Sub>i</Sub>Fe<Sub>j</Sub>Mn<Sub>k</Sub>M...
- 戚兴国刘丽露高飞杨凯胡勇胜陈立泉
- 文献传递
- 金属插层共价有机框架物
- 本发明公开了一种金属插层共价有机框架物，由二维共价有机框架物和金属原子依次交替堆垛形成。本发明的金属插层共价有机框架物稳定且有序，避免了金属原子形成团簇，并具有较强活性位点。此外，本发明还具有结构蓬松、比表面积大等优点，...
- 高飞孟胜
- 文献传递
- 硅(001)图形衬底上锗硅纳米线的定位生长被引量：1
- 2020年
- 纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术,通过分子束外延生长方法,在具有周期性凹槽结构的硅(001)图形衬底上首先低温生长硅锗薄膜然后升温退火,实现了有序锗硅纳米线在凹槽中的定位生长,锗硅纳米线的表面晶面为(105)晶面.详细研究了退火温度、硅锗的比例及图形周期对纳米线形成与否,以及纳米线尺寸的影响.
- 高飞冯琦王霆王霆
- 关键词：分子束外延量子比特图形衬底
- 硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用
- 本发明提供一种硅衬底上有序锗纳米线，包括表面具有周期性凹槽结构和平台结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗层以及位于所述硅锗层上的纯锗层。本发明还提供一种制备本发明的硅衬底上有序锗纳米线的方法，包括以下步骤：(1)在硅衬底...
- 张建军高飞
- 文献传递
- 硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用
- 本发明提供一种硅衬底上有序锗纳米线，包括表面具有周期性凹槽结构和平台结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗层以及位于所述硅锗层上的纯锗层。本发明还提供一种制备本发明的硅衬底上有序锗纳米线的方法，包括以下步骤：(1)在硅衬底...
- 张建军高飞
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