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韩成功

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电极
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇电阻
  • 2篇雪崩
  • 2篇雪崩击穿
  • 2篇瞬态
  • 2篇瞬态电压
  • 2篇瞬态电压抑制...
  • 2篇平板显示
  • 2篇平板显示器
  • 2篇外延层
  • 2篇显示器
  • 2篇结终端
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇均流
  • 2篇VDMOS

机构

  • 9篇浙江大学

作者

  • 9篇韩成功
  • 6篇韩雁
  • 4篇胡佳贤
  • 4篇张世峰
  • 2篇吴健
  • 2篇董树荣
  • 2篇苗萌
  • 2篇马飞
  • 2篇曾杰
  • 2篇黄丽
  • 2篇郑剑锋
  • 2篇张斌
  • 2篇张斌
  • 1篇郭清
  • 1篇丁扣宝
  • 1篇洪慧
  • 1篇朱大中
  • 1篇王亚林
  • 1篇郭维

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇2010年全...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现
2010年
对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。
韩成功郭清韩雁张斌张世峰胡佳贤
高压VDMOS结终端技术研究
功率VDMOSFET由于其优异特性而被广泛地应用于开关电源、汽车电子等领域,是功率器件的主流产品之一。功率VDMOS器件由于终端pn结的曲率效应,其高压阻断能力受到限制,为了提高高压阻断能力,结终端技术被广泛采用,是现代...
胡佳贤韩雁张世峰张斌韩成功
关键词：结终端场限环导通电阻功率器件终端结构
文献传递
功率集成电路中高压MOS器件及其可靠性的研究
功率集成电路将低压控制电路、保护电路和高压功率MOS器件集成在一起，显著提高了整机的集成度和稳定性，降低了成本。功率MOS器件是功率集成电路的核心，直接影响电路的性能和质量。因此，对功率MOS器件及其可靠性进行研究很有意...
韩成功
关键词：热载流子注入雪崩击穿功率集成电路
文献传递
高边NLDMOS结构
本发明公开了一种高边NLDMOS结构。本发明在原有高边NLDMOS的基础上，将原来在P衬底(201)与N型外延(203)之间的全区段的N型埋层(202)改为部分区段的N型埋层(202)。一般来说，N型埋层(202)的长度...
韩成功韩雁张斌张世峰胡佳贤
文献传递
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
2011年
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.
郭维丁扣宝韩成功朱大中韩雁
关键词：雪崩击穿电荷泵
一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器
本发明公开了一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层和P-外延层；第一外延区与P+衬底层之间设有N+埋层，第二外延区上设有N+有源注入区；第一外延区上嵌有N阱，N阱上设有P+有源注入区；P+有源注入区通过金属电...
董树荣吴健韩成功黄丽苗萌曾杰马飞郑剑锋
文献传递
42″PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现被引量：1
2008年
在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42″数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容(BCD工艺),而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了高低电平位移电路和高压输出驱动电路及其器件的设计,有效提高了芯片的性能,减小了芯片的面积.测试结果表明该芯片功能正常,性能良好,各项技术参数基本达到国外同类产品指标.在低压5V和高压160V的情况下工作,完全满足42″PDP显示系统的需求.
洪慧韩雁韩成功王亚林
关键词：等离子显示BCD工艺
一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器
本发明公开了一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层和P-外延层；第一外延区与P+衬底层之间设有N+埋层，第二外延区上设有N+有源注入区；第一外延区上嵌有N阱，N阱上设有P+有源注入区；P+有源注入区通过金属电...
董树荣吴健韩成功黄丽苗萌曾杰马飞郑剑锋
文献传递
高压VDMOS结终端技术研究
功率VDMOSFET由于其优异特性而被广泛地应用于开关电源、汽车电子等领域,是功率器件的主流产品之一。功率VDMOS器件由于终端pn结的曲率效应,其高压阻断能力受到限制,为了提高高压阻断能力,结终端技术被广泛采用,是现代...
胡佳贤韩雁张世峰张斌韩成功
关键词：VDMOS结终端场限环场板导通电阻
文献传递
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