霍合勇
- 作品数：83 被引量：57H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 一种适用于中子层析成像系统的旋转轴线偏摆角的误差补偿方法
- 本发明公开了一种中子层析成像旋转轴线偏摆角的误差补偿方法，本方法是基于平行束中子射线的投影几何对称性原理，将样品360度旋转范围内的投影数据进行叠加获得具有唯一对称轴的合成投影图像，合成投影图像的对称轴即为样品旋转轴线的...
- 唐彬霍合勇吴洋孙勇尹伟王胜李航曹超刘斌朱世雷张旸
- 文献传递
- 中子边缘增强效应成像定量化初步研究
- 中子具有波粒二相性，传统的中子成像技术是以中子的粒子性为基础的，图像的衬度是由于材料对中子束的质量衰减系数不同而引起的，然而某些材料对中子射线的衰减作用很小甚至没有衰减作用，或者材料内各元素之间的衰减差别很小，这样就只能...
- 李航吴洋王胜霍合勇唐彬
- 关键词：数值模拟
- 基于CCD的中子数字照相系统成像速度分析被引量：1
- 2007年
- 成像速度是中子冷阴极放电器(CCD)数字照相系统的主要性能参数。根据中子数字照相的原理、光学成像的基本关系式和CCD的特性,提出了一种基于CCD的中子数字照相系统的成像速度理论推算方法,对SPRR-300中子数字照相系统成像速度进行了计算,并与试验结果相比较证明,理论计算与试验基本吻合,计算方法可信。
- 唐彬李西安霍合勇薛斌
- 关键词：射线检验中子照相CCD
- 一种快中子荧光屏及制备方法
- 本发明提供了一种快中子荧光屏及其制备方法，本发明的快中子荧光屏原料按重量百分比组成为：聚丙烯14%～16％；乙烯-醋酸乙烯共聚物4%～6％；增韧剂4%～6％；硫化锌荧光粉70%～75％；偶联剂1%～2%。本发明提供了一种...
- 唐彬吴洋霍合勇蔡绪福刘斌唐科尹伟孙勇曹超
- 文献传递
- 中子照相∑定量测量方法
- ∑测量方法是一种定量检测样品厚度的热中子照相分析方法,本文首先叙述了该方法的基本实验原理,中子束照射到转换屏上,激发近似正比于中子注量率的可见光,然后这些可见光被高灵敏度的微光成像系统探测到,并把光信号转变为电信号。对于...
- 霍合勇唐彬吴洋
- 文献传递
- LiF-ZnS中子转换屏参数与性能初步理论分析
- 阐述了中子转换屏的发光机理,建立了转换屏发光的数学模型,使用 matlab 计算了 LiF-ZnS 中子转换屏的各项参数对成像性能的影响,得出了一些结论。
- 吴洋唐彬霍合勇刘斌
- 一种适用于中子层析成像系统的旋转轴线偏摆角的误差补偿方法
- 本发明公开了一种中子层析成像旋转轴线偏摆角的误差补偿方法，本方法是基于平行束中子射线的投影几何对称性原理，将样品360度旋转范围内的投影数据进行叠加获得具有唯一对称轴的合成投影图像，合成投影图像的对称轴即为样品旋转轴线的...
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- 快中子转换屏效率与分辨率分析
- 快中子转换屏具有几种不同的加工工艺,本文首先对不同条件下的几种转换屏进行理论修正,并获取其发光效率,其后通过对铁样品边界分析获取系统的点扩散函数与调制传递函数及空间分辨率,提供了一定的理论依据。
- 霍合勇唐彬吴洋刘斌
- 关键词：快中子照相性能分析
- 文献传递
- 小型中子源高能中子照相装置准直屏蔽系统设计被引量：2
- 2013年
- 准直屏蔽系统是中子照相装置的必要设备。本文采用蒙特卡洛中子输运程序(MCNP)等软件对高能中子准直屏蔽系统进行理论设计,初步确定了其材料构成和外观尺寸,从理论上确定了装置包括成像处注量率、成像距离及相应视场等关键参数。
- 吴洋窦海峰唐彬霍合勇
- 关键词：高能中子
- 多色热中子同轴轮廓法成像技术初步实验研究
- 同轴轮廓法是为位相衬度成像技术的一种.中子同轴轮廓法成像是近几年随着X射线位相衬度成像技术发展起来的新型中子成像技术.本文介绍了中子同轴轮廓法成像的基本原理,并对利用SPRR-300反应堆和德国FRM-Ⅱ反应堆上开展的多...
- 唐彬霍合勇吴洋刘斌
- 关键词：X射线
