陈宗圭
- 作品数：15 被引量：26H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究被引量：5
- 1997年
- 本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾．
- 王志明邓元明封松林吕振东陈宗圭王凤莲徐仲英郑厚植高旻韩培德段晓峰
- 关键词：量子点自组织生长砷化铟
- GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模被引量：1
- 1990年
- 本文报道GaAs/Al_xGa_(1-x)As短周期超晶格结构中的纵光学声子模的室温Raman散射测量结果。除了限制在GaAs层中的GaAs LO限制模外,我们还首次观测到限制在Al_xGa_(1-x)As混晶层中的类AlAs LO限制模。根据线性链模型,我们把测量到的LO限制模的频率按照q=m/(n+1)(a_0/(2π))展开,给出了Al_xGa_(1-x)As混晶的类AlAs LO声子色散曲线。
- 汪兆平韩和相李国华陈宗圭钟战天
- 关键词：GAAS/ALGAAS超晶格
- 异质谷间转移电子效应的实验研究被引量：7
- 1993年
- 使用Gunn器件作为X电子的探测器研究了直接能隙/间接能隙(Direct Gap/Indirect Gap,简作“D/I”)异质结构在电场作用下的谷间转移电子效应。把这种异质结构制作在Gunn器件的阴极上观察到二极管直流伏安特性和射频工作性能的显著变化。它的振荡频率显著降低,振荡效率和输出功率增大,频率稳定度提高,而且脉冲振荡功率显著增大。已在8mm波段获得320mW的振荡功率,最大效率8％。用异质谷间转移电子(Heterostructure Intervalley Transferred Electron,简作"HITE”)效应解释了器件性能的这些突变,从而在实验中首次证实了这一新效应。
- 薛舫时邓衍茂张崇仁陈宗圭
- 关键词：电子效应异质结半导体
- 自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究被引量：3
- 1997年
- 报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为ＩｎＡｓ材料的俘获陷阱．随着停顿时间加长，ＩｎＡｓ岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化．
- 王志明吕振东封松林杨小平陈宗圭徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
- 关键词：量子点自组织
- 亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造
- 1989年
- 本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×10^(15)cm^(-3)),但由于采用了T型结构,器件室温跨导值仍达到了200mS/mm,在77K为375mS/mm.
- 杨玉芬陈宗圭张矩
- 关键词：MOSFET掺杂调制
- In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析被引量：1
- 1993年
- 采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。
- 陈维德陈宗圭崔玉德
- 关键词：INGAAS
- 不对称双势垒结构中的非共振磁隧穿现象
- 1990年
- 本文系统研究了不对称GaAs/AlAs双势垒共振隧穿结构中非共振磁隧穿谱在正反偏压方向上的特征差异,并且用渡越电子沿正反方向隧穿通过双势垒结构时在势阱中停留时间的不同合理解释了实验结果。
- 杨富华郑厚植陈宗圭
- 关键词：非共振GAAS/ALAS
- 短周期GaAs／AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验
- 1995年
- 我们制备了Ｍ＝２，４，６和１０的一系列短周期（ＧａＡｓ）Ｍ／（ＡｌＡｓ）Ｍ厂超晶格样品并测量了其椭偏光谱．对这些样品的光频介电函数港进行了分析，并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较上述理论计算是对Ｍ＝４，６和１０的超晶格样品作出的，并给出相应的介电函数谱曲线．在光子能量３．５～４．５ｅＶ范围的Ｅ１峰与瓦峰附近的实验谱的主要特征，与理论计算结果相一致实验谱中的Ｅ１峰比理论谱要强些，不同Ｍ值的超晶格样品之间的Ｅ１峰之差异也大于理论结果。
- 莫党谭健华陈宗圭杨小平张鹏华张伟陈良尧
- 关键词：砷化镓砷化铝超晶格
- 自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应
- 1997年
- 通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火倾向于产生更多的位错，量子点的发光峰位置不变，但强度减弱．
- 王志明吕振东封松林赵谦李树英吉秀江陈宗圭徐仲英郑厚植
- 关键词：量子点退火砷化铟自组织生长砷化镓
- 自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究被引量：3
- 1998年
- 利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构．下层ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１７ＭＬ变成小于１５ＭＬ．透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的ＩｎＡｓ量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的ＩｎＡｓ层相对应的一个发光峰．
- 王志明封松林吕振东杨小平陈宗圭宋春英徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
- 关键词：自组织砷化镓
