钱林
- 作品数：7 被引量：13H指数：3
- 供职机构：上海大学更多>>
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- 相关领域：化学工程一般工业技术理学更多>>
- 含硼聚硅烷的合成方法
- 本发明涉及一种含硼聚硅烷的合成方法。本发明方法采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将二卤硅烷或三卤与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合，合成出含硼聚硅烷。本发明方法得到的含硼聚硅烷且本发明方法反应条件温和，易控制，操作简单、...
- 吴市陈来钱林任慕苏孙晋良
- 文献传递
- C/C复合材料基体改性用先驱体的研究
- 钱林
- 关键词：C/C复合材料蒽油
- 电化学合成聚硅烷的反应速率被引量：3
- 2008年
- 采用电化学法，合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷，通过FT—IR，UV，^1HNMR表征其结构。分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si—Cl键含量的变化，以及加入引发剂蒽对反应速率的影响。结果表明：含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷，相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si—Cl键含量比不含双键聚硅烷少10％～15％；在电化学合成聚硅烷的过程中。单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例；引发剂葸的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率。本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测。
- 吴市张峰君钱林陈来张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
- 关键词：聚硅烷电化学合成反应速率
- 先驱体浸渗裂解法制备C/C-SiC复合材料的烧蚀性能(英文)被引量：7
- 2008年
- 用先驱体浸渗裂解法制备了碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)-SiC复合材料,用H2-O2火焰法检测其烧蚀性能。结果表明:C/C-SiC复合材料的烧蚀率随复合材料中的Si含量的增加而呈下降趋势;经过5次浸渍,C/C-SiC复合材料的密度从1.46 g/cm3增加到1.75 g/cm3,Si含量从5.06%增加到13.8%,线烧蚀率和质量烧蚀率分别下降474%和34.5%。密度为1.75 g/cm3的C/C–SiC复合材料,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为2.22μm/s和1.289 mg/s,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为密度1.78 g/cm3的C/C复合材料的21.7%和78.6%。基体中SiC的引入明显提高了C/C复合材料的抗氧化烧蚀性能。
- 吴市陈来钱林张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
- 关键词：烧蚀抗氧化
- 含双键聚硅烷的电化学合成被引量：3
- 2009年
- 采用电化学合成法,以三氯甲基硅烷和烯丙基氯为单体合成出含有双键的聚硅烷,通过FT-IR,GPC,1H-NMR表征了其结构。研究了单体配比、单体浓度、电极材料、反应电量、换向时间和电解质浓度对含双键聚硅烷电化学合成的影响。结果表明,三氯甲基硅烷与氯丙烯的比率为3/1,电极为镁电极时,重均分子量和双键保留率达到了最高值,分别为3749和12.6%。增加反应电量、缩短换向时间和降低单体浓度都可以提高产物的分子量和产率。
- 钱林陈来田玲吴市张家宝任慕苏孙晋良
- 关键词：聚硅烷双键
- 含硼聚硅烷的合成方法
- 本发明涉及一种含硼聚硅烷的合成方法。本发明方法采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将二卤硅烷或三卤与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合，合成出含硼聚硅烷。本发明方法反应条件温和，易控制，操作简单、安全，所制得的含硼聚硅烷能明...
- 吴市陈来钱林任慕苏孙晋良
- 文献传递
- 聚碳硅烷的结构和形态被引量：2
- 2008年
- 通过GPC-VPO-[77]测得了聚碳硅烷(PCS)的分子量、分子量分布和分子的形态与尺寸;通过IR-NMR-元素分析联合,定量表征了组成PCS的结构基团及支化程度。结果表明,常压高温裂解法合成的PCS是一种分子量较低,分子量分布较窄的低聚物,分子内以Si-C键为主的六元稠环组成的扁球体状分子,分子的支化程度很高,分子结构很紧密,等效球体半径(Re)在甲苯中约为1nm左右。
- 钱林陈来花永盛张家宝周春节任慕苏孙晋良
- 关键词：聚碳硅烷碳化硅陶瓷先驱体
