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赵银女

作品数:30 被引量:25H指数:3
供职机构:鲁东大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省研究生教育创新计划山东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 13篇期刊文章

领域

  • 8篇理学
  • 5篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇语言文字

主题

  • 8篇透明导电
  • 7篇溅射
  • 5篇射频溅射
  • 5篇透明导电膜
  • 4篇柔性基材
  • 4篇室温制备
  • 4篇退火
  • 4篇光电
  • 4篇光学
  • 4篇
  • 3篇多晶
  • 3篇氧化铟
  • 3篇氧化镓
  • 3篇液态
  • 3篇微通道板
  • 3篇光电性
  • 3篇光电性能
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光

机构

  • 26篇鲁东大学
  • 3篇西安交通大学

作者

  • 29篇赵银女
  • 4篇李厅
  • 3篇孙学卿
  • 3篇朱长纯
  • 3篇闫金良
  • 3篇刘建军
  • 3篇石亮
  • 2篇张易军
  • 2篇李清山
  • 1篇李宏光
  • 1篇曲崇

传媒

  • 3篇材料科学与工...
  • 3篇科教文汇
  • 2篇光子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇纳米技术与精...
  • 1篇教育教学论坛

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 6篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
30 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种安装在防盗门内部的信报箱
本实用新型涉及了一种安装在防盗门内部的信报箱。信箱主体(2)内部安装有防堵塞装置,包括压板(5)、弹簧(6)、拉线(7)、导轨(9),压板(5)左右侧边各有一凸起(8)并嵌套在导轨(9)内,压板(5)上固定有两个弹簧(6...
赵银女
文献传递
一种多晶氧化镓纳米片薄膜的制备方法
本发明提出了一种多晶氧化镓纳米片薄膜的制备方法,包括:将加压氧气注入镓基室温液态金属;氧气气泡在镓基室温液态金属上升过程中,氧气气泡的内侧形成氧化镓纳米层;氧气气泡在去离子水中破裂,形成二维氧化镓纳米片的悬浮液;将二维氧...
赵银女闫金良闫慧龙
文献传递
一种用于高校图书馆的安全幕墙玻璃
本实用新型提供一种用于高校图书馆的安全幕墙玻璃,包括有机玻璃基片,有机玻璃基片的上面设置底涂层、低辐射隔热层、防护面涂层;有机玻璃基片的下面设置防护面涂层;有机玻璃基片材质为聚碳酸酯,底涂层为聚氨酯膜层,低辐射隔热层为氧...
赵银女
文献传递
大学生考试中普通话水平测试“单音节”项的问题及对策
2016年
本文基于鲁东大学学生在国家普通话水平测试中单音节字词的测试项的失分情况为切入点,绘出失分曲线,得出失分与等级的关系,统计含有平舌音和翘舌音的单音节字在试题中出现的频率。分析影响测试成绩的原因,提出了突破"瓶颈"的有效措施和方法,以期提高普通话测试者的成绩。
赵银女
关键词:PSC翘舌音
Sn掺杂Ga_(1.375)In_(0.625)O_3透明导电氧化物的第一性原理计算被引量:3
2015年
用第一性原理计算了Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的Ga原子(Ga1.25In0.625Sn0.125O3)和Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的In原子(Ga1.375In0.5Sn0.125O3)的结构、电子能带和态密度。Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体材料比Ga1.375In0.5Sn0.125O3材料具有大的晶胞体积和强的Sn-O离子键。在Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体中,Sn原子优先取代In原子。Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体显示n型导电性,杂质能带主要由Sn 5s态组成。Ga1.375In0.5Sn0.125 O3半导体的光学带隙大于Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体的光学带隙。Ga1.25In0.625 Sn0.125 O3具有小的电子有效质量,Ga1.375In0.5Sn0.125O3具有多的相对电子数。
赵银女
关键词:电子结构第一性原理
氧空位对Ga_(1.5)In_(0.5)O_3透明导电氧化物性能的影响被引量:2
2015年
Ga1.5In0.5O3是一种潜在的紫外透明导电材料。用第一性原理计算了含氧空位的Ga1.5In0.5O3的结构参数、生成焓、能带结构、态密度、光吸收和光反射。氧空位的位置影响Ga1.5In0.5O3化合物的晶格常数和生成焓,含氧空位的Ga1.5In0.5O3是间接带隙半导体,其带隙宽度较本征Ga1.5In0.5O3带隙值变宽。氧空位VO(1)、VO(2)和VO(3)在Ga1.5In0.5O3中分别引入0.237eV、0.239eV和1.384eV的施主杂质能级,在吸收光谱中出现杂质吸收现象。氧空位降低Ga1.5In0.5O3吸收主峰和反射主峰的强度,在近红外区含VO(1)和VO(2)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较大,含VO(3)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较小。
赵银女
关键词:氧空位电子结构第一性原理
一种氟掺杂氧化锡透明导电膜的制备方法
本发明公开了一种偏压射频磁控溅射法制备SnO<Sub>2</Sub>:F透明导电膜的方法,属于电子材料技术领域。将纯度99.99%的SnO<Sub>2</Sub>粉末和99%的SnF<Sub>2</Sub>粉末按重量比9...
闫金良赵银女石亮刘建军李厅
文献传递
“三赢”办学方式与应用型人才培养模式初探
2012年
本文分析了应用型人才培养内涵,阐述了培养应用型人才的有效途径,提出了校企合作办学是高校应用型人才培养模式的新举措,从而构建高校、企业和学生之间的"三赢"办学方式。
赵银女闫金良
关键词:高校企业
双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法
本发明涉及一种锡掺杂氧化铟(ITO)/氧化镓(Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法,属于电子材料技术领域。本发明以紫外光学石英玻璃为基板,用射频磁控溅射Ga<Sub...
闫金良李厅张易军赵银女
文献传递
一种微通道板的三氧化二铝防离子反馈膜的制备方法
本发明公开了一种微通道板的三氧化二铝防离子反馈膜的制备方法,技术方案包括用室温镓基液态合金作为溶剂,将高纯铝粉加入室温镓基液态合金中形成室温含铝镓基液态合金,室温含铝镓基液态合金暴露在空气环境中在液态合金‑空气界面形成亚...
赵银女闫金良闫慧龙
共3页<123>
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