赵金霞
- 作品数：13 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自然科学总论更多>>
- GaN基多层结构椭偏测试模型优化和光谱研究被引量：1
- 2010年
- 利用椭圆偏振测试仪,对n+AlGaN/n-AlGaN/超晶格(SL)/AlN/蓝宝石多层复杂结构的椭偏测试方法进行了研究,其中SL层为AlGaN/GaN多层量子阱结构,将其简化为单层处理。通过改变测试条件进行多次测量,分析了结构模型、算法模型及不同入射角度对测试结果的影响,得到了最优测试结构模型和算法模型:粗糙度层(有效介质近似EMA模型)/n+AlGaN(柯西Cauchy模型)/n-AlGaN(Cauchy)/SL(EMA)/AlN(Cauchy)/蓝宝石。选择55°为入射角,在300～800nm波长测试得到了各层膜厚和光学常数谱。结果表明,椭偏测试所得各层膜厚度与工艺给出数据相符,但SL层厚度相对而言有较大偏差,这与其结构复杂性有关,尚待进一步研究。各层折射率色散关系正常,n+AlGaN层折射率与n-AlGaN层折射率相比偏小,这与其较高浓度和较大损伤有关。
- 赵金霞杜江锋彭明明朱石平秘暇夏建新
- 关键词：氮化镓消光系数
- GaN基多层膜结构椭偏光谱研究
- 对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围内拟合得...
- 赵金霞杜江锋于奇于志伟夏建新杨谟华
- 关键词：多层膜结构椭圆偏振光谱INN薄膜
- 文献传递
- 蓝宝石上GaN基多层膜结构椭偏研究
- 2010年
- 对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关。
- 杜江锋赵金霞罗谦于奇夏建新杨谟华
- 关键词：GAN椭圆偏振光谱INNGA2O3
- GaN基热氧化物的XPS和椭偏光谱研究被引量：1
- 2009年
- 采用X射线光谱仪(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究。当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga2O3,且由于大量O空位的存在,其表面Ga/O比率约为1.2。SE测试结果表明,GaN线性氧化速率约为40nm/h,呈抛物线生长,最终平均氧化速率约为25nm/h。在300～800nm测试范围内,Ga2O3折射率为1.9～2.2,与文献测试结果相符。但在300～400nm测试范围内存在反常色散现象,这与GaN在此波段的强吸收有关。
- 杜江锋赵金霞于奇杨谟华
- 关键词：GAN热氧化GA2O3XPSSE
- 用于GaN功率器件的对位标记的制作方法
- 本发明公开了一种用于GaN功率器件的对位标记及其制备方法，属于半导体器件的加工领域。所述用于GaN功率器件的对位标记包括位于GaN基片上的一次金属对位标记和二次金属对位标记，所述一次金属对位标记的金属与所述GaN功率器件...
- 王勇秘瑕周瑞赵金霞张志国蔡树军
- 基于GaN MOS器件的注入和氧化工艺研究
- 作为第三代半导体材料，GaN由于其优良的物理和化学性质，被广泛应用于高频高功率电子器件及光电发光器件等领域。而GaN基MOS结构器件，不仅克服了传统GaN HEMT器件栅泄漏电流过大的缺点，且具有更低的功耗和更大的电压摆...
- 赵金霞
- 关键词：离子注入光电特性
- 文献传递
- 具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型被引量：1
- 2008年
- 基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。
- 杜江锋赵金霞伍捷杨月寒武鹏靳翀陈卫
- 关键词：解析模型击穿电压电场分布场板GAN
- 国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状被引量：2
- 2015年
- GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用。介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状。重点讨论了大尺寸衬底技术(6英寸SiC衬底、8英寸Si衬底)、GaNHEMT与SiCMOS器件异质集成技术以及金刚石基GaNHEMT材料集成技术的研发进展。分析了GaN功率器件材料技术的发展趋势,认为更大尺寸更高质量衬底和外延材料制作、外延技术的改进、金刚石等新型衬底材料研发以及GaN基材料与Si材料的异质集成技术等将是未来研究的重点。
- 付兴中赵金霞崔玉兴付兴昌
- 关键词：氮化镓碳化硅硅金刚石衬底材料
- 金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势被引量：2
- 2019年
- 采用金刚石衬底可显著提升GaN微波功率器件的散热能力,从而制作尺寸更小、功率更高的金刚石基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。介绍了金刚石基GaN HEMT技术优势。综述了金刚石基GaN HEMT的金刚石衬底生长、金刚石与GaN HEMT层结合、金刚石/GaN界面优化等制造技术的研发现状,并概述了金刚石基GaN微波功率器件的最新研究进展。最后分析了金刚石基GaN HEMT制造技术面临的挑战和未来的发展趋势,表明制作低成本大尺寸金刚石衬底材料、提升GaN/金刚石界面热阻以及大幅提升金刚石基GaN器件的性能并在射频功率器件领域实现商用将是未来发展的重点。
- 赵金霞
- 关键词：金刚石GAN功率器件
- 用于GaN功率器件的对位标记的制作方法
- 本发明公开了一种用于GaN功率器件的对位标记及其制备方法，属于半导体器件的加工领域。所述用于GaN功率器件的对位标记包括位于GaN基片上的一次金属对位标记和二次金属对位标记，所述一次金属对位标记的金属与所述GaN功率器件...
- 王勇秘瑕周瑞赵金霞张志国蔡树军
- 文献传递
