许正昱
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 应力调控的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
- 高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的研究热点。然而高Al组...
- 黄呈橙许福军许正昱王嘉铭张霞王新强沈波
- 关键词：化合物半导体材料多量子阱结构
- 文献传递
- 高质量半绝缘GaN生长研究
- AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界面二维电子气的浓度和迁...
- 许正昱许福军黄呈橙王嘉铭张霞沈波
- 关键词：半导体材料氮化镓
- 文献传递
- 与GaN晶格匹配的InAlN材料中In组分的均匀性研究
- 通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究,同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较.发现两者虽然同为含In体系,...
- 王嘉铭沈波许福军黄呈橙许正昱张霞王彦葛惟昆王新强杨志坚
- GaN基外延薄膜和异质结构的MOCVD生长和电学特性
- GaN基宽禁带半导体异质结构材料与器件是当前半导体科学与技术的前沿和热点研究领域之一。GaN基异质结构是发展电力电子器件和微波功率器件不可替代的半导体体系，其中GaN基薄膜材料的外延生长与物性研究是制备高质量GaN基异质...
- 许正昱
- 关键词：电学特性金属有机化学气相沉积输运性质
- In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
- 2010年
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。
- 张延召秦志新桑立雯许正昱于涛杨子文沈波张国义赵岚张向锋成彩晶孙维国
- 关键词：激活能
