许倩斐
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 光声光谱测试技术及在材料分析中的应用被引量：4
- 1999年
- 光声光谱作为一种比较新型的材料无损测试技术，具有灵敏度高、能进行微量分析、以及不受样品形状限制等优点。本文对光声光谱测试技术的测试原理及测试系统组成进行了详细说明，并举例说明其在材料分析中的应用。
- 许倩斐袁骏季振国阙端麟
- 关键词：光声光谱激光光源
- 盐酸蒸气处理对酞菁氧钛薄膜的影响
- 2002年
- 用HC1蒸气对真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜进行了处理 ,并用UV Vis吸收谱、X射线光电子能谱 (XPS)和X射线衍射 (XRD)进行了分析。吸收谱结果表明HC1与酞菁氧钛蒸气作用后产生一个新的吸收峰 ,峰值位于 82 0nm附近。此峰的出现使得酞菁氧钛光吸收带 (Q带 )加宽进入红外波段。光电子谱分析表明酞菁氧钛薄膜的成分发生了变化 ,其中Cl和O的含量随HC1蒸气处理时间的增加而增加 ,而N和Ti的含量随HC1蒸气处理时间的增加而减小 ,说明HC1蒸气可与真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜发生作用。XRD测试结果表明 ,经HC1蒸气处理后的酞菁氧钛薄膜的衍射谱中出现了若干新的衍射峰 。
- 季振国许倩斐朱玲王龙成芮祥新
- 关键词：真空蒸发沉积有机光导材料XPSXRD
- X光照引起的Cu2p_(3/2)光电子峰位移及酞菁铜分子内的电荷转移
- 2001年
- 用光电子谱研究了X光辐照下酞菁铜分子内的电荷转移情况。通过改变X光源的功率 ,发现高功率下Cu 2p3/ 2的光电子峰相对于低功率下的Cu 2p3/ 2 峰有 0 11eV的位移。由此推断在X光辐照下 ,有负电荷从铜原子转移到分子的其他部分。这一现象有助于解释金属酞菁在光照下分子内的电荷转移机理及光导现象。
- 季振国袁骏许倩斐汪茫阙端麟郭伟民
- 关键词：金属酞菁电荷转移光电子谱酞菁铜
- 后处理对酞菁薄膜的影响
- 该文中,研究人员尝试对不同的酞菁金属配合物进行盐酸蒸汽处理以及热处理,研究其改性行为.利用真空蒸发沉积方法制备了三种酞菁金属配合物的薄膜,分别为酞菁铜、酞菁铁和酞菁氧钛.利用盐酸蒸汽处理了以上三种酞菁薄膜,发现盐酸对三中...
- 许倩斐
- 关键词：酞菁金属配合物
- 文献传递
- XPS在酞菁类有机半导体研究方面的应用被引量：3
- 2000年
- 作为探测分子和样品表面和界面的电子结构的有效手段 ,XPS能够为材料及器件的设计提供有价值的信息。本文从定量分析、生长模式。
- 徐明生季振国袁骏许倩斐阙端麟陈红征汪茫
- 关键词：有机半导体X光电子能谱电子结构
- 纳米硅/二氧化硅发光膜的窄发光带被引量：1
- 1999年
- 用电化学方法制备了含有纳米硅点的光致发光二氧化硅膜，发现其激发谱分别在２４６ ｎｍ 及５０６ ｎｍ 附近有极大值。当激发波长在５０６ ｎｍ 附近时，观测到一个强度很弱但发射谱线宽度只有约０ ．０５ ｅＶ 的发光带，远小于２５０ ｎｍ 激发时的发射光谱的宽度（ 约０ ．５０ ｅＶ） 。此窄发光带的发光波长及峰型随激发波长的变化而变化，分析表明它起源于硅氧化合物中的纳米硅点，而短波长（２５０ ｎｍ）
- 季振国袁骏许倩斐徐明生汪雷李先杭马向阳阙端麟
- 关键词：光致发光
