蓝碧健
- 作品数：17 被引量：7H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 基于分子自组装的稳定可重复分子整流器
- 2007年
- 以分子自组装的方法在金电极表面制备了“2-巯基-5-磺酸基苯并咪唑（MBIS）”的单层有机分子膜,并用掠角反射红外光谱（RAIRS）对其进行了表征.覆盖有MBIS单分子层的金膜表面具有明显的亲水性,其接触角为31.3°,而纯金膜表面的接触角为106.6°。用扫描隧道显微镜（STM）测试了MBIS单分子膜的整流性质,测得在偏压±1V时的整流比为20.6。末端含有磺酸基的MBIS单分子层膜能够忍受真空热蒸发方法蒸镀金属顶电极的冲击,因此容易用通常的热蒸镀方法制备夹层器件。“金/MBIS单层分子膜/银”器件首次测得的整流比为11.8（±2V）,随后20次连续测量显示整流比为6.62～8.95（±2V）。“金/MBIS单层分子膜/铜”器件的整流比约为4（±1V）,整流器件之间有良好的稳定性及重现性。
- 蓝碧健吕银祥蔡永挚邹振光徐伟
- 关键词：单分子膜分子自组装整流
- 基于[4-[(N-(2-巯基乙基),N’-甲基)胺基]苯基]三氰基乙烯(TAPE)的分子整流器
- 2006年
- 制备了含巯基的共轭有机分子-[4-[(N-(2-巯基乙基),N’-甲基)胺基]苯基]三氰基乙烯(TAPE),以分子自组装方法制作了结构为“Au/TAPE/Au(纳米颗粒)”的分子整流器件。用扫描隧道显微镜(STM)测试了该器件的电流-电压(I-V)性质,在偏压为±0.95V时,有最高整流比为22.7;考察了顶电极制备工艺前、后单分子膜的电性能。用掠角反射红外光谱对单分子有机层进行了表征。
- 吕银祥蓝碧健季欣金兰徐伟
- 关键词：金纳米颗粒分子自组装TAPE
- 一种可移植纳米级厚度的连续金膜及其制备方法和应用
- 本发明属于纳米材料和薄膜材料技术领域，具体涉及一种可移植纳米厚度金膜及其制备方法和应用。用真空沉积法在云母基底上沉积一层几十纳米厚度的金膜，再用强酸或者有机溶液浸泡，可使金膜与基底脱离，形成可移植的自由金膜。这种可移植纳...
- 徐伟蓝碧健
- 文献传递
- 分子基整流材料及工艺研究
- 源于“bottomup”的设计思想，具备器件尺度小、可选材料多并且操作方式灵活等优点的分子电子学，近年来倍受学者青睐。因为当硅基器件因其尺寸、生产成本等限制逐步停滞不前的时候，致力于研究分子水平上的电子学，以求通过单个分...
- 蓝碧健
- 关键词：分子材料自组装STM
- 文献传递
- 一种吡啶基四醌分子材料及其制备方法
- 本发明属于有机功能分子材料技术领域，具体涉及一种吡啶基取代的四醌衍生物分子材料及其制备方法。分子材料在结构上，以四醌单元作为基本的结构骨架，并与两个吡啶基连接。该分子同时含有六个配位原子，是一种特殊的桥联配体，可与金属离...
- 徐伟吕银祥邹振光蓝碧健
- 文献传递
- 一种分子整流器件及其工艺研究被引量：3
- 2005年
- 设计并合成了一类D-π-A型具有整流特性的有机材料MR-1(对-二甲胺基苯基乙烯三腈),MR-2(对-二苯胺基苯基乙烯三腈),以其制成的整流器件Cu/MR-1/Ag整流比可达10000,其他器件M/MR-X/M(M为Ag或Cu)的整流比高的可达100;实验发现,溶液吸附法只能在气-液交界处得到整流结果,加电场有利于形成有序取向分子膜.
- 蓝碧健刘春明吕银祥张骅徐伟华中一
- 基于分子自组装的单分子层整流器被引量：4
- 2006年
- 本文报道了一种含巯基的分子在金膜表面的自组装制备的单层分子整流器件Au/PPSC/Au,其中PPSC为取向整流分子膜。接触角、掠角反射红外光谱测量证明了单层分子膜存在;STM和电路测量都得到明显的不对称的整流I-V曲线。在STM模式下,在±2 V时,表观整流比为4.25;在电路测量模式,整流比在几十倍以上。
- 蓝碧健沈淼吕银祥蔡永挚徐伟华中一
- 关键词：分子自组装单分子层
- 一种吡啶基四醌分子材料及其制备方法
- 本发明属于有机功能分子材料技术领域，具体涉及一种吡啶基取代的四醌衍生物分子材料及其制备方法。分子材料在结构上，以四醌单元作为基本的结构骨架，并与两个吡啶基连接。该分子同时含有六个配位原子，是一种特殊的桥联配体，可与金属离...
- 徐伟吕银祥邹振光蓝碧健
- 文献传递
- 分子整流器的研究进展被引量：1
- 2005年
- 分子整流方面的研究在近几年取得了迅速发展。介绍和评述了对分子整流器的制作工艺、分子整流的理论和实验研究,还讨论了该领域研究中存在的问题和今后的发展方向。
- 蓝碧健刘春明吕银祥徐伟
- 关键词：分子整流器
- 一种分子基电双稳器件
- 2006年
- 报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件，Al／BN4/Al／BN4/Al．其中功能层为有机／金属/有机的夹层结构，而中间金属层要非常薄．该器件在较低电压作用时呈现高阻状态，阻值在10^6～10^9Ω；而当电压超过某一阈值时，器件导电态发生改变，由高阻态跃迁为低阻态，阻值约为10^2～10^5Ω．两种状态的电阻值比为10^3～10^5．另外，还比较了不同功能层厚度器件的性能．
- 蔡永挚郭鹏蓝碧健邹振光吕银祥徐伟
