蒲石
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
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- 一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端被引量：2
- 2015年
- 针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高了器件的整体击穿电压.根据以上理论,将该结构运用在一款大功率P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件上.经流片测试结果表明,该P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件样品的击穿电压为-90V,与仿真结果中主结击穿电压达到-91V有很好的吻合,证明了该结构设计的正确性.
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：终端结构场限环
- 大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真被引量：1
- 2016年
- 作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：击穿电压导通电阻阈值电压
- 大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真
- 分析了P沟道VDMOS器件的元胞结构参数与设计指标之间关系.采用Silvaco的Atlas模块对该器件的元胞结构参数和电学性能进行模拟和优化,并根据实际情况确定了器件元胞的最佳结构参数.基于这些的仿真结果,利用Silva...
- 蒲石杜林张得玺
- 关键词：金属-氧化物-半导体器件自对准工艺击穿电压导通电阻
- 一种P沟VDMOS器件的研究与实现被引量：2
- 2013年
- 分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系.采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化,并设计了针对该器件的终端结构.完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺,并据此研制出了耐压值80V、输出电流14A的P沟VDMOS.测试了其静态和动态参数,均达到了设计要求.
- 蒲石郝跃
- 关键词：结终端技术
- 深刻蚀方法对硅基SIWF通孔显微结构的影响被引量：2
- 2015年
- 硅基集成波导滤波器通孔的显微结构和阵列精度对硅基集成波导滤波器的电磁性能和可靠性至关重要.采用KOH溶液刻蚀、皮秒紫外激光刻蚀以及感应耦合等离子体刻蚀3种方法在晶向为[100]的高阻硅单晶衬底上加工了通孔阵列,并采用线宽测量仪和扫描电镜对通孔尺寸、阵列精度以及通孔侧壁的显微结构进行了表征,对比研究了不同深刻蚀方法对硅基集成波导滤波器通孔侧壁显微结构的影响.结果表明,采用感应耦合等离子体刻蚀方法得到的硅基集成波导滤波器通孔阵列的显微结构最佳,精度最高,且通孔侧壁的粗糙度最低.由此可见,在目前工艺设备和技术水平的情况下,感应耦合等离子体刻蚀是最适合加工高性能、高精度和高可靠性硅基集成波导滤波器通孔阵列的方法.
- 杜林蒲石史永贵张进城郝跃
- 关键词：通孔深刻蚀显微结构
- 太赫兹基片集成波导滤波器加工工艺研究
- 太赫兹基片集成波导滤波器要求通孔表面平整,掩膜图形转移一致度高,通孔质量对提高滤波器Q值至关重要。本文分别研究了三种高阻硅通孔的深刻蚀工艺,利用KOH溶液刻蚀、皮秒紫外激光刻蚀和感应耦合离子刻蚀三种方法分别在高阻硅刻蚀通...
- 杜林蒲石郝跃
- 关键词：太赫兹
- 文献传递
- 异步多时钟域系统的同步设计研究
- 从事多时钟ASIC设计首先需要了解信号在传输中的稳定性。数据的跨时钟域传输对于长期仅接触同步时序设计的设计者而言是一个巨大的挑战。如果对其中出现的特殊问题估计不足,将对设计造成灾难性后果。数据跨时钟域传输时如何保持系统的...
- 蒲石
- 关键词：数据同步亚稳态异步FIFO
- 文献传递
- 抗辐照大功率P沟道VDMOS工艺与器件研究
- 随着航天技术的不断发展,航天器在轨时间越来越长。作为航天器所用电源核心的抗辐照VDMOS器件对性能和寿命的要求也随之不断提高。近年来国内外在抗辐照大功率N沟道VDMOS器件的研究上已经取得了巨大进展。但作为航天用电源中不...
- 蒲石
- 文献传递
- 集成波导孔阵列的激光深刻蚀
- 用MEMS工艺制造集成波导过程中,通孔的制备工艺至关重要.激光刻蚀作为常用的制备通孔的重要技术,属于各向异性干法刻蚀,具有刻蚀快速、易获得高深宽比孔槽的特点.本文采用红外和紫外两种激光来刻蚀体硅,采用扫描电镜观察刻蚀效果...
- 杜林蒲石郝跃
- 关键词：半导体器件集成波导
