您的位置： 专家智库 > >

蒲云章

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇雪崩
  • 3篇雪崩光电二极...
  • 3篇探测器
  • 3篇光电
  • 3篇光电二极管
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇二极管
  • 3篇INP/IN...
  • 1篇欧姆接触

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇乔树允
  • 3篇蒲云章
  • 3篇李献杰
  • 2篇曾庆明
  • 1篇曾庆明

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇二〇〇六年全...

年份

  • 3篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
高速InP/InGaAs雪崩光电二极管被引量：2
2006年
采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p 型欧姆接触、AuGeNi n 型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面 InP/InGaAs 雪崩光电二极管,器件利用 InGaAs做吸收层,InP 做增益层,光敏面直径50μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V 左右可以得到大约10 A/W 的光响应度,在0到小于击穿电压1 V 的偏压范围内,暗电流只有1 nA 左右;器件在2.7 GHz 以下有平坦的增益。
曾庆明李献杰蒲云章乔树允
关键词：雪崩光电二极管INP/INGAAS光电探测器
高速InP/InGaAs雪崩光电二极管
采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZnp型欧姆接触、AuGeNin型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP...
曾庆明李献杰蒲云章乔树允
关键词：雪崩光电二极管INP/INGAAS光电探测器欧姆接触
文献传递
高速InP/InGaAs雪崩光电二极管
采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZnp型欧姆接触、AuGeNin型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP...
曾庆明李献杰蒲云章乔树允
关键词：雪崩光电二极管INP/INGAAS光电探测器
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0