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范超: 作品数：39 被引量：47H指数：5; 供职机构：电子科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金四川省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

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脉冲激光微细加工曝光区温度的不接触测量被引量：1: 2007年; 针对大功率脉冲激光微细加工区域工作激光对辐射测温的影响,提出在周期脉冲激光的间隙内提取温度信号的新方法,应用采样保持原理,研制相应的测量系统,通过温度定标,从A/D采样值直接读取温度值。结果表明,该温度测量系统能有效地消除工作激光对温度测量的干扰,准确地测量曝光区域的温度,在温度为500℃左右时,系统的温度分辨能力可达0.03℃,能满足激光扩散、激光合金等工艺要求。; 王小林王昱林徐攀叶玉堂吴云峰刘霖范超焦世龙; 关键词：采样保持

一种光学仪器内部光学元件状况的检测方法: 本发明提供了一种检测光学仪器内部元件的方法，它采用了激光光源，利用激光良好的会聚性，减少了镜面之间信号的相互干扰；通过观测激光在被检测光学表面的反射光，利用反射光在有损伤时呈现出的高对比度，能够容易地检测出的损伤。本发明...; 叶玉堂范超吴云峰张雪琴余学才杨先明方勇文郑华李莹波秦宇伟; 文献传递

湿法腐蚀的红外热像对比研究被引量：5: 2006年; 提出了一种研究半导体湿法腐蚀进程的红外热像法。将半导体基片浸泡于化学试剂中,利用红外热像仪探测红外腐蚀信号,并由计算机进行处理,得到热像图。对GaAs在不同配比溶剂中的腐蚀进程进行了红外热像的对比研究,结果表明:红外热像法可以观测到对比实验的显著差异,并直观地表征了基片、腐蚀剂以及腐蚀时间的相互关系。; 范超叶玉堂焦世龙刘霖陈镇龙吴云峰王昱琳田骁; 关键词：红外热像湿法腐蚀半导体

双次曝光积分效应实现杂质浓度分布均匀化: 2006年; 激光诱导扩散中,当入射激光光强为高斯分布甚至均匀分布时,微小扩散区的温度分布不均匀。由于扩散系数是温度的函数,必将导致扩散后杂质浓度分布的均匀性较差,无法制作出高性能的p-n结。提出采用多次激光诱导扩散的积分效应来实现杂质浓度分布的均匀化整形。对于InP衬底的CO2激光诱导Zn扩散,利用温度闭环测控系统测得的基片表面热斑温度场分布,分析计算了两次激光诱导扩散重叠区域的浓度分布积分效应。在此基础上模拟计算出,用双次曝光积分效应做杂质浓度分布的均匀化整形时,基片上两次激光照射位置的最佳间隔为20μm。这为改进激光诱导扩散工艺,用多次曝光实现面均匀的杂质浓度分布奠定了理论基础。; 王昱琳叶玉堂吴云峰赵爱英焦世龙范超; 关键词：激光诱导扩散

短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：2: 2008年; 基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。; 范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂; 关键词：光电集成电路光接收机前端跨阻放大器

基于SiGe BiCMOS的Ka波段六位差分数字移相器研究: 本文详细介绍了一种基于IBM 0.13um SiGe BiCMOS工艺的Ka波段六位差分数字移相器。相比于其它的移相器,通过采用差分结构,大大降低了移相器的插损、附加衰减以及最重要的相位误差。在32GHz-38GHz内移...; 常皓张铁笛延波宋烨曦范超; 关键词：BICMOS KA波段相控阵雷达; 文献传递

杂质Zn在InP中的扩散机制被引量：1: 2005年; 介绍了杂质Zn在InP中的两种扩散机制,间隙-替代机制和Kick-out机制。InP为n型时,扩散机制为间隙-替代式;InP为p型时,扩散机制为Kick-out式。重点介绍了三种不同模型,解释Zn在InP中通过间隙原替代机制进行扩散时,空穴浓度与Zn浓度不同的原因,并评价了三种模型。; 赵爱英叶玉堂吴云峰王昱琳张雪琴范超焦世龙; 关键词：INP INP ZN P型

激光化学诱导液相腐蚀新方法被引量：4: 2005年; 提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论分析和实验结果都表明,抗蚀膜掩蔽法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁可以具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差。因为以上优点,抗蚀膜掩蔽法能克服现有激光腐蚀方法的诸多弊端,简化激光腐蚀工艺,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。; 刘霖叶玉堂赵素英刘娟秀范超吴云峰王昱琳; 关键词：光电子半导体化合物

10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver: 2007年; A single power supply common-gate （CG） current mode transimpedance preamplifier （TIA） is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gain of 45dBΩ. Both the input and output voltage standing wave ratios （VSWR） are less than 2 within the bandwidth. The equivalent input noise current spectral density varies from 14.3 to 22pA/√Hz, with an average value of 17. 2pA/√Hz. Having a timing jitter of 14ps and eye amplitude of about 138mV,the measured output eye diagram for 10Gb/s NRZ pseudorandom binary sequence （PRBS） is clear and satisfactory.; 焦世龙叶玉堂陈堂胜冯欧蒋幼泉范超李拂晓; 关键词：PREAMPLIFIER

电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响被引量：1: 2007年; 利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响。实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短电极距离使半导体激光电化学刻蚀速率加快;当电极距离分别为20、15、10和5 cm时,垂直晶向刻蚀50μm直线凹槽,所得凹槽实际宽度分别为100、85、70和60μm,其晶向影响受到明显抑制,横向钻蚀大幅减小。研究结果说明,通过电极距离调节这一简单方式,有可能解决激光电化学刻蚀速度慢、横向钻蚀严重等难题。; 刘霖叶玉堂陈镇龙范超吴云峰王昱琳; 关键词：光电子半导体化合物刻蚀速率