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章婉珍

作品数：5 被引量：4H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇晶体管
  • 2篇单晶
  • 2篇扩散法
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅片
  • 2篇薄片
  • 1篇电压
  • 1篇电压安全
  • 1篇电子节能
  • 1篇电子节能灯
  • 1篇电子镇流器
  • 1篇钝化
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇镇流器
  • 1篇启辉
  • 1篇节电
  • 1篇节电率
  • 1篇节能灯
  • 1篇高频

机构

  • 5篇浙江大学

作者

  • 5篇陈福元
  • 5篇章婉珍
  • 5篇陈启秀
  • 4篇陈忠景
  • 3篇李贡社
  • 1篇郑海东
  • 1篇林玉瓶
  • 1篇陈去非
  • 1篇余滨
  • 1篇吴文
  • 1篇黄树新

传媒

  • 1篇科技通报
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
半绝缘多晶硅钝化技术研究及其应用被引量：4
1991年
1 前言 半导体器件的稳定性除了与器件的制造材料、器件本身的结构有关外,在相当大的程度上还取决于对其表面的保护措施——即表面钝化。钝化是改善器件性能和提高可靠性所不可缺少的手段和重点工艺。早在五十年代。
陈福元陈启秀陈忠景章婉珍林玉瓶
关键词：半绝缘多晶硅钝化半导体器件
低电压安全电子节能照明装置
一种低电压安全电子节能灯，是由灯头、灯罩、灯座、荧光灯管和新颖的高频电子镇流器组成。高频电子镇流器具有二倍压整流器或三倍压整流器(6)、双磁环耦合的双晶体管高频振器(7)以及二极管输出电路(8)。在20～40V低电压、工...
黄树新陈启秀李贡社吴文陈福元陈去非陈忠景林书樾余滨章婉珍
文献传递
硅单晶薄片制造晶体管的方法
本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N<Sup>+</Sup>杂质，b.硅片单面机械研磨、抛光，c.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层，d.硅片背面涂高纯玻璃粉在50...
陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
文献传递
硅单晶薄片制造晶体管的方法
本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N<Sup>+</Sup>杂质，b.硅片单面机械研磨、抛光，c.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层，d.硅片背面涂高纯玻璃粉在50...
陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
文献传递
联栅晶体管的电压放大因子
1991年
联栅晶体管(简称GAT)是具有高速高反压低饱和压降性能的功率开关器件,它是一种双极型晶体管的改进型结构。它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度较其他部分为高。这一基区中伸出部分相当于JFET的栅,接近基区的集电区相当于源,远离基区的那部分集电区相当于漏,两栅之间的集电区作为沟道,基区其他部分作为普通NPN晶体管的基区作用。联栅晶体管克服了高反压与高频之间的矛盾,同时使得在较低的电阻率情况下得到较高的BV_(ceo)。
郑海东陈启秀陈福元章婉珍
关键词：晶体管
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