王海波
- 作品数：9 被引量：19H指数：3
- 供职机构：大连理工大学电子科学与技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理文化科学更多>>
- SiC半导体表面处理技术研究
- 氢钝化技术是利用氢原子终结表面悬挂键的一种技术。半导体经氢钝化处理后可以获得干净、平整、抗氧化能力强的表面，有利于制备高性能的MOS结构和欧姆接触。由于SiC表面存在极性键，传统的湿法氢钝化技术并不适合SiC。常压氢气退...
- 王海波
- 文献传递
- n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO_2/SiC界面研究被引量：3
- 2008年
- 在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV.cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1.cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.
- 马继开王德君朱巧智赵亮王海波
- 关键词：4H-SICMOS电容
- 基于数据挖掘的客户关系管理研究
- 经济迅速发展,市场竞争日益激烈,企业的管理模式逐渐由'以产品为中心'转向'以客户为中心',以'以客户为中心'为核心思想的客户关系管理(CRM)得到了迅猛发展.但是,由于CRM出现的时间短,对它的研究和应用还不完善,尤其是...
- 王海波
- 关键词：客户关系管理体系结构数据挖掘
- 文献传递
- 锦州女儿河斜拉桥主梁受力分析
- 斜拉桥，作为大跨径桥梁的主要形式之一，在国内外的众多大跨度桥梁中占有相当大的比重。斜拉桥主梁与其连接的桥面系，直接承受着车辆荷载，是斜拉桥的主要受力构件之一。由于箱梁具有良好的结构性能，在现代斜拉桥中得到广泛应用。在压弯...
- 王海波
- 关键词：斜拉桥大跨径桥梁剪力滞效应箱梁
- 文献传递
- 低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触被引量：2
- 2008年
- 实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti后可直接形成欧姆接触，室温下比接触电阻率ρc为2．25×10^-3Ω·cm^2（ρc由圆形传输线模型CTLM测得），随着合金温度的升高，其欧姆特性逐渐增强，400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2．07×10^-4Ω·cm^2。采用X射线衍射（XRD）确定金属／n-SiC界面反应时形成的相，以分析电学性质与微观结构间的联系。最后讨论了低温欧姆接触的形成机制。
- 陈素华王海波赵亮马继开
- 关键词：氢等离子体欧姆接触比接触电阻率
- 学校设备管理系统的设计与实现
- 本文对学校设备管理系统的设计与实现进行了研究。文章调查和了解学校设备管理人员对系统的需求，并分析了学校设备管理系统所应进行的工作，分析需求，设计和构架新系统;对数据库的设计和SQL语言的使用进行了系统分析，为深入理解数据...
- 王海波
- 关键词：学校管理教学设备管理自动化
- 文献传递
- 高拱坝材料动态特性和地震破坏机理研究及其在大坝抗震安全评价中的应用
- 林皋王海波王哲李德玉陈健云胡志强李建波涂劲刘君闫东明肖诗云杜建国钟红张伯艳逯静洲王建全禹莹杜荣强
- 该项目所属科学技术领域为水利学科，成果应用于水利水电工程建设。西部大开发的战略决策促进了我国水利水电建设的空前发展。一大批200米至300米级的超高拱坝正在和将在西南、西北等强地震活动区进行建设，设计地震加速度远远超过历...
- 关键词：
- 关键词：拱坝地震响应
- 用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成被引量：4
- 2008年
- 利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较多，除Si^＋成分外，还存在Si^2＋和Si^3＋两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比，指出界面成分可通过合理工艺有效控制，以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。
- 赵亮王德君马继开陈素华王海波
- 关键词：4H-碳化硅X射线光电子谱
- SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究被引量：3
- 2008年
- 采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的可靠性．结果显示，高温氧化形成的SiO2／4H-SiC（0001）界面，同时存在着Si^，Si^2＋，Si^3＋ 3种低值氧化物，变角分析表明，一个分层模型适合于描述该过＋渡区的成分分布．建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度．结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压（C-V）测试分析，揭示了过渡区成分与界面态的直接关系．
- 王德君赵亮朱巧智马继开陈素华王海波
- 关键词：界面态
