毕爱红
- 作品数：13 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国人民解放军海军工程大学理学院更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电子电信理学更多>>
- 复合掺杂VO_2(M)的实验设计及光电特性研究被引量：2
- 2010年
- 以V2O5、钨酸铵、钼酸铵和草酸为原料,采用高温热解前驱体的方法制备了复合掺杂W6+和Mo6+的M型VO2粉体。采用均匀设计U7(72)考察了钨酸铵和钼酸铵的加入量与产物的相变温度之间的关系,建立了数学模型并进行了回归分析。结果表明钼和钨全部以离子形式进入了VO2的晶格,热分解产物具有良好的光电开关性能。
- 毕爱红朱金华李定国文庆珍
- 关键词：VO2均匀设计相变温度光电特性
- 色基比对降温涂料功能型性能的影响
- 2009年
- 要配制深色降温涂料,颜料必不可少,而颜料的良好分散是生产性能优异的乳胶漆的首要问题。利用最小粘度法制备了分散性好的铁红色浆、铁黄色浆和铁黑色浆。然后用自制的色浆配制了不同色基比(P/B)的深色涂料,通过涂料的降温性能测试和光谱性能测试研究了色浆含量与降温效果之间的关系,并得出结论如下:P/B越小,平均升温速率越小,反射降温效果越好;P/B越大,平均降温速率越大,发射降温效果越好。
- 毕爱红朱金华文庆珍
- 关键词：色浆降温涂料
- 基于二氧化钒粉体的智能控温涂料研究现状及发展趋势被引量：1
- 2009年
- 智能控温涂料是一种能在低温时透射红外光,而在高温时反射红外光的涂料。介绍了VO2及其掺杂粉体,以及基于VO2粉体的智能控温涂料的研究现状。提出了其今后的发展趋势。
- 毕爱红朱金华
- 关键词：相变性能
- 降温涂料的性能表征方法研究
- 在涂层反射率测试装置的基础上,提出了涂层反射率和发射率改进的测试装置和表征手段．将所得的数据进行二次线性回归得到了平均升温速率和平均降温速率,用日本岛津产 UV-3101PC 带积分球的紫外- 可见-红外分光光度计对反射...
- 毕爱红朱金华文庆珍
- 关键词：降温涂料
- 文献传递
- 铝粉对红棕色降温涂料性能的影响被引量：1
- 2009年
- 有较高反射率的金属是热隐身涂料最常用和最重要的颜料种类。在实际应用中，多选用性能优异、价格低廉的铝粉。在前期实验的基础上，向3种基本组成相同而复色浆不同的红棕色涂料中加入定量的铝粉，研究了加入铝粉前、后涂层的表面发射率以及在指定波段内的反射率。结果发现，加入一定量的铝粉后，可提高涂料在380～2500nm波段尤其是可见光区的反射率；加入一定量的铝粉后，涂层在8．0～13．5gm波段内的表面发射率均小于未加铝粉的涂层。
- 毕爱红朱金华黄正兵
- 关键词：降温涂料铝粉反射率发射率
- 颜填料对涂料降温性能的影响被引量：9
- 2007年
- 为了满足军事上深色降温涂料的需要,往往需要向白色涂料中加入一定量的色浆,设计了具有可比性的三种涂料:B涂料、Z涂料、TU涂料,考察了颜填料对深色降温涂料降温性能的影响。最后通过仪器测试,说明了这种影响之间的关系。
- 毕爱红朱金华文庆珍
- 关键词：降温涂料颜填料反射率发射率
- 有色降温涂料的实验设计及降温性能测试被引量：1
- 2008年
- 采用正交设计法,以颜填料、色浆、硅丙乳液、助溶剂为影响因素研究了有色降温涂料制备的工艺技术,结合反射率测试和表面发射率测试,找出了影响降温涂料性能的主要因素,从而为有色降温涂料的制备奠定了基础。
- 毕爱红朱金华文庆珍
- 关键词：降温涂料正交实验
- Mo掺杂VO_2(B)粉体的制备及敏感性能研究
- 2011年
- 以草酸为还原性酸,V2O5为钒源,钼酸铵为掺杂离子源,水热合成了不同Mo掺量的纳米VO2(B)粉体。采用XRD、SEM、XPS等技术对粉体进行了表征。研究结果表明:钼酸铵的加入对产物的结构和形貌产生一定的影响,同时提高了VO2在室温时的TCR和电阻。VO2在室温下的TCR的绝对值随钼酸铵含量的增加先逐渐增加后趋于平缓,而薄片的电阻随钼酸铵含量的增加而增加。
- 毕爱红朱金华李定国李志生
- 关键词：热敏材料TCR电阻
- 降温涂料的研究现状及发展趋势被引量：2
- 2006年
- 对目前隔热降温涂料的分类及性能进行了阐述,在此基础上提出了集阻隔、反射、辐射性能于一身的降温涂料,简述了涂层的降温原理及目标降温的条件。最后,总结了降温涂料的国内外研究现状及存在问题,简要讨论了降温涂料的应用及发展趋势。
- 毕爱红朱金华文庆珍
- 关键词：降温涂料
- 掺杂VO_2(B)粉体的水热晶化动力学研究被引量：1
- 2010年
- 采用水热法合成了一系列掺杂VO2（B）粉体,并利用XRD对产物的水热晶化过程进行了研究。研究结果表明：元素W和Mo是以W^6＋和Mo^6＋的形式替代了部分V^4＋的位置,与VO2（B）形成了固溶体。掺杂VO2（B）粉体的水热晶化过程是由V2O5·3H2O逐渐向晶体VO2（B）转变的自发成核过程,晶体的生长是速率控制步骤。在水热条件为100℃×4 h＋140℃×20 h＋180℃×（20-24 h）时,计算得到的掺杂VO2粉体的成核诱导期为18.7 h,表观成核速率为0.0535 h^-1,表观晶体生长速率为5.3 h-1。
- 毕爱红朱金华文庆珍李定国
- 关键词：水热法晶化动力学晶化过程自发成核
