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林时胜

作品数：101 被引量：5H指数：2
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 95篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电气工程
  • 10篇电子电信
  • 2篇经济管理
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 50篇石墨
  • 50篇石墨烯
  • 27篇电机
  • 27篇发电机
  • 25篇半导体
  • 24篇电池
  • 19篇电极
  • 17篇费米能级
  • 16篇直流发电机
  • 15篇太阳能电池
  • 15篇二极管
  • 14篇异质结
  • 12篇太阳能
  • 11篇导体
  • 11篇半导体异质结
  • 10篇太阳电池
  • 9篇载流子
  • 9篇探测器
  • 9篇量子
  • 9篇掺杂

机构

  • 99篇浙江大学
  • 3篇上海空间电源...
  • 1篇重庆诺奖二维...

作者

  • 99篇林时胜
  • 27篇李晓强
  • 15篇王朋
  • 15篇徐志娟
  • 12篇陈红胜
  • 12篇徐文丽
  • 8篇叶志镇
  • 6篇陈凌翔
  • 6篇赵炳辉
  • 6篇冯思睿
  • 5篇骆季奎
  • 5篇顾修全
  • 5篇李文渊
  • 5篇张金石
  • 5篇李尔平
  • 4篇何海平
  • 3篇张银珠
  • 3篇黄靖云
  • 2篇张冬仙
  • 2篇蒋建中

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 5篇2021
  • 18篇2020
  • 10篇2019
  • 4篇2018
  • 10篇2017
  • 5篇2016
  • 16篇2015
  • 6篇2014
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
共 101 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化硼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管及其制造方法
本发明公开的氮化硼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO<Sub>2</Sub>层的Si/SiO<Sub>2</Sub>复合晶片、n层氮化硼层，n=1-8、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块...
林时胜李文渊张金石
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一种基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池
本发明公开了一种基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池，该太阳能电池利用石墨烯与半导体形成的异质结的发电性能，有效利用石墨烯与半导体中的热电子能量，提升每个单结太阳能电池的开路电压；将多个势垒高度不同的石墨烯基异质结...
林时胜陆阳华延燕飞
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一种基于石墨烯/极性液体/半导体动态二极管的新型直流发电机及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯/极性液体/半导体动态二极管的新型直流发电机及其制备方法，是在封闭空间内设有石墨烯层、半导体层，半导体层上设有背电极，石墨烯层和背电极分别通过导线引出，在石墨烯层和半导体层之间填充有极性液体，极...
林时胜延燕飞陆阳华
一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器及其制造方法
本发明公开了一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器该二硫化钼/半导体异质结光电探测器自下而上依次有背电极层、半导体衬底层、二硫化钼层,在二硫化钼层上设有彼此分隔的两块表面电极，在两块表面电极之间的二硫化钼层上还具有量子点层...
徐志娟林时胜李晓强
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一种锂离子掺杂石墨烯忆阻器及其制备方法
本发明公开一种锂离子掺杂石墨烯忆阻器，自下而上依次有绝缘衬底、锂离子掺杂的石墨烯层及两个金属电极，或者自下而上依次有绝缘衬底、两个金属电极和锂离子掺杂的石墨烯层。其制备方法如下：1）将石墨烯转移至洁净的绝缘衬底上，再在石...
林时胜郑柘炀李晓强
一种石墨烯基压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯基压力传感器，该压力传感器自下而上依次有PVDF压电薄膜、第一石墨烯层、氮化硼层和第二石墨烯层，还具有第一电极和第二电极。其制备方法步骤为：先转移石墨烯到PVDF压电薄膜上；然后转移氮化硼到该石墨烯...
林时胜徐志娟钟汇凯章盛娇吴志乾李晓强王朋陈红胜
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一种石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器，该紫外探测器自下而上依次有背面电极、氧化锌层、氮化硼层、石墨烯层和正面电极。其制备方法步骤如下：先在洁净的氧化锌一面制作背面电极；再将氮化硼转移至洁净的氧化锌另一面上；然...
林时胜吴志乾徐志娟李晓强王朋章盛娇钟汇凯徐文丽陈红胜
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Na掺杂生长p型Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O晶体薄膜的方法
本发明公开的Na掺杂生长p型Zn<Sub>1－x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌、氧化镁和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na<Sub>2</Su...
叶志镇陈凌翔林时胜
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一种硅掺杂石墨烯材料的制备方法
本发明公开了一种硅掺杂石墨烯材料的制备方法，步骤如下：先将石墨烯置于炉管内，抽真空至真空度为10<Sup>-5</Sup>-10<Sup>5</Sup>Pa；通入保护气氛，再以1℃/min-300℃/min的速率升温至6...
林时胜章盛娇王朋李晓强徐文丽吴志乾徐志娟钟汇凯陈红胜
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一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法
本发明涉及一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法，该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层、石墨烯层和正面电极，其中石墨烯为1～10层。其制造包括：在砷化镓片一面制作背面电极；然后进行...
林时胜李晓强
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