杨洪强
- 作品数：13 被引量：14H指数：2
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- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 半桥式功率输出级中高速低功耗低侧管的实现被引量：5
- 2001年
- 本文提出了一种动态地控制IGBT阳极短路的结构 ,并把这种结构用于具有高低侧驱动和半桥式功率输出级的功率集成电路低侧管中 .这种结构使得功率输出级低侧管导通时工作于IGBT模式 ,关断过程中工作于MOS模式 ,因而具有导通压降小、关断速度快的优点 ,有效地解决了功率管导通电阻和关断速度之间的矛盾 .在不改变工艺 ,不降低耐压 ,不增加电路元件的前提下 。
- 杨洪强陈星弼
- 关键词：功率集成电路晶体管
- 具有动态控制阳极短路结构的高速IGBT(英文)被引量：2
- 2002年
- 利用动态控制阳极短路的基本原理 ,提出了一种实现高速 IGBT的新思路 .该结构的关键是引入了一个常开型 p- MOSFET,在 IGBT导通时关断 ,不增加导通损耗 ,而在器件关断过程中能阻止阳极继续向漂移区注入少数载流子 ,同时为载流子流入阳极提供一条通道 ,使其快速关断 .理论分析和模拟结果证明 ,该结构在击穿电压、导通损耗不变的情况下 ,能将关断时间减少 75 %以上 .应用这样的结构只需增加两个分压比一定的分压电阻 .新结构对驱动电路的要求与普通 IGBT完全一致 ,是一种实用的高速 IGBT结构 .
- 杨洪强陈星弼
- 关键词：关断时间导通压降晶体管IGBT
- 一种新型的具有简易APFC的SPIC电路(英文)被引量：1
- 2002年
- 提出了一种新型的具有简易 APFC的单片 SPIC电路 .通过采用集成在 SPIC内部的延迟电路 ,使有 APFC电路的总线电压由 6 0 0 V下降为 40 0 V.在电路中 ,采用长沟道的 NMOS管来代替大电阻以节省版图面积 .在保证所需的功率因数的情况下 ,总线电压的下降可以直接导致功率开关器件的比导通电阻下降 ,减小功率器件的损耗 ,提高电路的效率 .同时 ,总线电压下降 ,也使电路成本降低 .此外 ,还同时设计了相应的高压过压保护电路 .理论分析与模拟结果都证明该设计是正确的和有效的 .
- 韩磊叶星宁成民杨洪强
- 关键词：APFCSPIC总线电压集成电路
- 利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能(英文)被引量：1
- 2002年
- 通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断过程中 ,p MOSFET将被开启 ,作为阳极短路结构起作用 ,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失 ,IGBT快速关断 .而且由于电场受到电阻场板的影响 ,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区 ,几乎消去了普通SOI LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段 .这两个因素使得新结构的关断时间大大减少 .在IGBT的开启状态 ,由于p MOSFET不导通 ,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致 .模拟结果表明 ,新结构至少能增加 2 5 %的耐压 ,减少 6 5 %的关断时间 .
- 杨洪强韩磊陈星弼
- 关键词：关断时间击穿电压
- 一种具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的1200 V/20 A SiC MPS
- 2024年
- 通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特基界面的最强电场强度仅为1.25 MV/cm。研制的MPS的泄漏电流仅为4.3μA(@25℃)和13.7μA(@175℃)。并且25℃和150℃下测试的浪涌电流高达258 A和252 A,约为额定电流的13倍。
- 易波徐艺马克强王思亮蒋兴莉胡强程骏骥杨洪强
- 关键词：泄漏电流
- 一种含组合介质深槽的横向耐压区
- 本发明公开了一种含组合介质深槽的横向耐压区，其包括衬底，衬底上设置有漂移区，漂移区中设置有上端开口的绝缘介质槽，在耐压状态时的介质槽低电位侧设置有P型深槽电容充电电荷补偿区，漂移区槽体的高电位侧设置有N型深槽电容充电电荷...
- 程骏骥武世英杨洪强
- 文献传递
- 一种非平面GaN HEMT横向功率器件
- 本发明属于功率半导体领域，涉及GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)横向功率器件，具体提供一种非平面GaN HEMT横向功率器件。本发明通过结构创新能够有效克服上述非平面G...
- 程骏骥王榷阳杨洪强
- 一种含组合介质深槽的横向耐压区
- 本发明公开了一种含组合介质深槽的横向耐压区，其包括衬底，衬底上设置有漂移区，漂移区中设置有上端开口的绝缘介质槽，在耐压状态时的介质槽低电位侧设置有P型深槽电容充电电荷补偿区，漂移区槽体的高电位侧设置有N型深槽电容充电电荷...
- 程骏骥武世英杨洪强
- 文献传递
- 一种GaN/Si晶体管级异质集成方法
- 本发明属于半导体和集成电路领域，具体提供一种GaN/Si晶体管级异质集成方法，用以克服GaN/Si异质器件的衬底晶面存在分歧的难题，实现有良好性能的GaNHEMT与Si CMOS的单片异质集成。本发明首先，采用Si(10...
- 程骏骥王榷阳杨洪强
- 提高功率器件整体性能的研究
- 该文在充分了解功率器件发展现状,系统学习前人理论的基础上,提出了一系列的新思路和优化方案,目的在于同时提高功率器件的各项性能指标. 文章的主要工作是:对功率器件的发展现状进行系统了解;对SOI器件的主要特点进行简单分析;...
- 杨洪强
- 关键词：功率器件
- 文献传递
