李齐
- 作品数：42 被引量：23H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- 面心立方基体内B2结构沉淀相间的界面结构
- 1994年
- 从面心立方（ＦＣＣ）基体的对称性出发．我们确定了该基体内固态沉淀反应所致Ｂ２结构沉淀相之间的界面取向；基于稳定界面结构应具有最低能量的考虑，提出了几种可能的沉淀相间界面结构模型；实验观察表明，Ｎｉ－Ｂｅ合金中沉淀相（β）间界面取向满足对称性要求，β／β界面结构跟自由β相的〈１１０〉｛１１２｝孪晶界面相同，但界面附近存在应变场．
- 郑建国李齐刘治国冯端
- 关键词：沉淀相面心立方
- α-PbO2型TiO2纳米晶微结构的HREM研究
- 马国斌陈志强洪建明朱健民周舜华李齐闵乃本
- 文献传递
- Er^+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究
- 1990年
- 剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er^+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10^(15)cm^(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可以从非晶/单晶界面处进行固相外延和在内部成核两种方式进行再结晶以至形成多晶层。再结晶的晶粒中存在大量微孪晶和堆垛层错。
- 严勇王培大胡梅生孙慧龄李齐冯端
- 关键词：离子注入单晶硅晶化TEM
- 高能（Mev）As+离子注入硅{113}缺陷的HREM研究
- ＜正＞{113}缺陷是在硅、锗等材料中发生于{113}面上的一种面缺陷,曾在以下硅（锗）材料中观测到：1)热退火后的高氧含量 C-型硅;2)离子注入的硅材料中;3)电子及离子辐照过的硅材料中。目前,对这类缺陷的 HREM...
- 朱健民李齐蒋冬梅
- 文献传递
- Bi、Zn掺杂的PNN-PZ-PT系压电陶瓷电畴结构的TEM研究
- 1998年
- 在Ａ（Ｂ′Ｂ″）Ｏ３－ＰＺ－ＰＴ三元系中，Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＮＮ）－ＰＺ－ＰＴ系压电陶瓷具有稳定的温度特性、优良的压电性能和瞬态电压响应特性，能够综合满足压电陶瓷微位移执行器的性能要求，是一种很有潜力的压电材料［１］。人们对它的介电...
- 朱信华朱健民周舜华李齐孟中岩
- 关键词：压电陶瓷
- 钽/硅多层膜在550℃退火后的局域扩散反应
- ＜正＞多层膜提供了一个具有大量界面的扩散、晶化、固相反应的系统。本文研究了在550℃退火后钽/硅多层膜的结构变化。钽/硅多层膜在低温550℃退火时,由于钽、硅原子互扩散的短程性,使得钽与硅反应后形成的二硅化钽晶粒的生长取...
- 卢江李凡庆陈志文谭舜陆斌张庶元王路春李齐
- 文献传递
- Bi系超导体中界面的高分辨电子显微术研究
- Bi系超导体是一种类钙钛矿型体心四方结构,元胞参数为:a=b=5.41A,c=30.8A(对应于T～85K或c=37.1A(对应于T～110K),而且存在无公度调制结构,这种结构可以用两上独立的调制波矢q和q描述,本文利...
- 姜建功李齐章佩君冯端
- 文献传递
- CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱（QDQW）的HREM研究
- 陈志强朱健民洪建明马国斌濮林朱信华周舜华李齐
- 文献传递
- CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)核壳微结构的HREM研究
- 2000年
- 随着半导体材料尺寸减至纳米量级 ,材料的电子结构经历从体材料的连续能带到类分子的准分裂能级的变化 ,其光学、电学及结构性质也发生了异于体材料的变化。我们应用胶体化学合成方法 ,制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱 (QDQW )纳米晶 ,由于QDQW中载流子的量子限制效应 ,其光致发光谱 (PL)出现明显的蓝移现象 ,谱峰也有明显增强。应用高分辨电子显微技术 ,对CdSe/HgSe/CdSe的QDQW纳米晶和微结构进行研究。高分辨电子显微镜 (HREM)像表明 ,作为QDQW的核心 ,CdSe纳米晶结构与体材料相同 ,是纤锌矿结构 :d10 1=0 .32 9nm ,d0 0 2 =0 .35 1nm ,选区电子衍射谱的结果与与之对应 ;CdSe核外边所包裹的一层 2nm左右的HgSe壳层 ,其结构是六方结构 :d0 0 3 =0 .32 3nm ,d10 1=0 .35 2nm ,而HgSe体材料是闪锌矿结构 ,这是由于在纳米晶异质外延条件下 ,壳结构的生长受核结构的制约。基此 ,我们分析了DQDW中载流子的量子限制效应与PL谱中蓝移现象之间的关系。对于CdSe/HgSe/CdSeDQDW的核壳界面结构及缺陷分布 ,我们正作进一步的分析研究。
- 陈志强朱健民马国斌朱信华周舜华李齐冯端
- 关键词：纳米晶微结构
- 利用波纹图样对GaN/α-Al_2O_3(0001)界面微结构研究
- 2000年
- 以GaN为代表的Ⅲ V族氮化物是制备蓝、绿光发光二极管、激光二极管及高温大功率器件的优选材料。然而 ,现有的衬底材料与GaN外延层之间存在的较大的晶格失配和热失配 ,因而造成外延层极高的位错密度 ( 1 0 8～ 1 0 10 cm-2 )。人们对GaN/α Al2 O3 界面处的微结构及其与生长机制关系的研究表现出极大的兴趣。我们借助于高分辨电镜技术 (HREM) ,利用HREM波纹图样及结构像 ,对LRH MOCVD方法生长的GaN/α Al2 O3 界面微结构进行研究 ,得到了一些有价值的结果。将GaN/α Al2 O3 ( 0 0 0 1 )样品绕〈1 1 2 0〉Al2 O3 转动一小角度 ,进行高分辨电镜 (HREM)观察 ,发现在界面缓冲层的HREM像中存在许多“拉链”状波纹图样 ,它们的周期约为 1 .6nm ,波纹区宽度从 1nm到 2 5nm变化 ,根据这些波纹可测得界面层GaN的晶格弛豫度δ =- 1 5 .1 % ,其残余应变为εr=- 0 .4%。而这种“拉链”状的波纹图样实际上反映了界面缓冲层是由许多不同倾角和残余应变的GaN晶粒组成 ,这些晶粒一部分是低温外延生长而成 ,一部分是在低温生长时的非晶态经高温退火晶化而得。但高温退火所得晶粒不是外延生长 ,其晶化质量较差 ,它们对应于较大角度偏离、弯曲和衬度较为模糊的波纹图样。HREM像分析表明 。
- 朱健民陈志忠马国斌朱信华周舜华李齐冯端
- 关键词：衬底材料
