李鸿渐
- 作品数：8 被引量：15H指数：2
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理理学更多>>
- p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的Pt^+注入改性研究
- 2009年
- 对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Pt+注入,注入后的样品在空气中快速热退火处理5min,发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善,接触电阻率从10-1Ω.cm2数量级降低到10-3Ω.cm2数量级。通过研究在不同Pt+注入剂量(5×1015、1×1016、2×1016cm-2)和退火温度下接触电阻率的变化规律。在Pt+注入剂量为1×1016cm-2,300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率,为3.55×10-3Ω.cm2。探讨了Pt+离子注入引起欧姆接触改善的内在机制。
- 李鸿渐石瑛赵世荣何庆尧蒋昌忠
- 关键词：P-GAN欧姆接触离子注入
- 现代银行理论综述
- 2003年
- 金融中介机构为什么会存在,这一金融学的最基本问题,随着银行业危机的出现又一次重新被人们所重视。本文围绕这一问题详细介绍了现代银行理论中的相关内容,这些理论成果大多产生于20世纪70年代以后,对我国金融业,特别是银行业的发展将会起到一定的借鉴作用。
- 韩海波李鸿渐
- 关键词：金融中介银行
- 股价操纵及其监管——基于中国证券市场投资者保护的研究
- 股价操纵行为不但会损害市场的统一性,扭曲价格并破坏市场发现价格的功能,更严重损害了投资者权益,破坏市场的公平性,最终削弱市场信心,而市场信心对保持市场流动性和效率至关重要,因而严厉打击股价操纵行为,实施有效的反操纵监管是...
- 李鸿渐
- 关键词：证券监管股价操纵
- 文献传递
- Zn+、Pt+离子注入对p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的改善研究
- 采用离子注入工艺,对p-GaN与Ni/Au(5/10nm)电极的接触界面进行Zn+、Pt+离子注入,注入后的样品在空气中进行5分钟的快速热退火(RTA)处理,发现Ni/Au电极和p-GaN的欧姆接触特性得到了明显改善。Z...
- 石瑛赵世荣李鸿渐何庆尧
- 关键词：欧姆接触离子注入快速热退火
- p-GaN表面制备低阻欧姆接触电极的几个关键问题被引量：3
- 2008年
- 优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极、严重妨害了GaN基器件的热稳定性和输出功率。如何制备具有低阻欧姆接触特性的p-GaN电极已成为一个关键的科学和技术问题。探讨了影响p-GaN欧姆接触特性的几个关键因素,如表面预处理工艺、电极材料的选择和厚度、退火工艺等,对此方面的最新进展进行评述和归纳,并提出自己的创新性研究思路。
- 李鸿渐石瑛蒋昌忠
- 关键词：P-GAN欧姆接触表面处理电阻率
- 测量计算金属-半导体接触电阻率的方法被引量：14
- 2008年
- 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。
- 李鸿渐石瑛
- 关键词：金属-半导体接触接触电阻率传输线模型
- Zn+、Pt+离子注入对p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的改善研究
- 采用离子注入工艺,对p-GaN与Ni/Au（5/10 nm）电极的接触界面进行Zn+、Pt+离子注入,注入后的样品在空气中进行5分钟的快速热退火（RTA）处理,发现Ni/Au电极和p-GaN的欧姆接触特性得到了明显改善。...
- 石瑛赵世荣李鸿渐何庆尧
- 关键词：P-GAN欧姆接触离子注入快速热退火
- 文献传递
- Zn^+注入对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响
- 2009年
- 首次采用离子注入工艺研究金属电极和p-GaN的欧姆接触特性。Zn为Ⅱ族元素,可以提高p-GaN表面的载流子浓度,对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Zn+注入。经Zn+注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min,以减少离子注入带来的晶格损伤。研究发现Zn+注入改善了p-GaN/Ni/Au的欧姆接触特性,接触电阻率ρc从10-1Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级。研究了不同Zn+注入剂量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)对接触电阻率的影响,在注入剂量为1×1016cm-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1.45×10-3Ω·cm2。用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化,探讨了接触电阻率改变的内在机制。
- 李鸿渐石瑛赵世荣何庆尧蒋昌忠
- 关键词：P-GAN欧姆接触离子注入
