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李淑侠

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火特性
  • 1篇离子注入
  • 1篇SI
  • 1篇硅

机构

  • 1篇辽宁大学

作者

  • 1篇关建新
  • 1篇马德录
  • 1篇李淑侠
  • 1篇高雅君
  • 1篇韩宇

传媒

  • 1篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇1998
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
B^+注入Si的辐射损伤和退火特性
1998年
本文用ｘ射线衍射仪测出了Ｂ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度、注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性．
马德录李淑侠蔡方韩宇高雅君关建新
关键词：离子注入退火特性硅
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共1页<1>
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