李攀
- 作品数：9 被引量：31H指数：4
- 供职机构：西北大学信息科学与技术学院更多>>
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- 高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器被引量：8
- 2008年
- 基于UMC的0.6μm BCD 2P2M工艺,探讨了一种高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器.该运算放大器的输入级采用互补差分对,其尾电流由共模输入信号来控制,以此来保证输入级的总跨导在整个共模范围内保持恒定.输出级采用ClassAB类控制电路,并且将其嵌入到求和电路中,以此减少控制电路电流源引起的噪声和失调.为了优化运算放大器低频增益、频率补偿、功耗及谐波失真,求和电路采用了浮动电流源来偏置.该运算放大器采用米勒补偿实现了18MHz的带宽,低频增益约为110dB,Rail-to-Rail引起的跨导变化约为15%,功耗约为10mW.
- 张强李攀田泽陈贵灿刘宁
- 关键词：恒定跨导CMOS运算放大器
- 电流模式PWM升压DC-DC变换器斜升波发生器的设计被引量：5
- 2007年
- 简要分析了峰值电流控制模式升压变换器的不稳定性及其原因,阐述了斜坡补偿的基本原理和设计问题。对基本的多谐振荡器电路进行了改进和优化设计,设计了适用于峰值电流模式PWM升压型DC-DC变换器斜坡补偿电路中的CMOS斜升波发生器电路。该电路基于UMC BiCMOS工艺设计,经HSpice仿真验证达到了设计目标,性能有很大改善,满足了芯片的需要。
- 王瑾李攀王进军刘宁张强
- 关键词：峰值电流控制PWM斜坡补偿
- 一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计被引量：8
- 2007年
- 针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能。基于0.6μm BiC-MOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要。
- 王瑾田泽李攀周密刘力军唐宏震
- 关键词：带隙基准BICMOS
- 一种简单的CMOS过温保护电路被引量：1
- 2008年
- 目的对已有的过温保护电路进行分析,提出一种结构简单,功耗较低的过温保护电路。方法引用峰值电流源作为启动电路,并尝试避免使用传统的迟滞比较器,采用了简单的结构实现比较功能。结果实现了一种简单的过温保护电路的设计。结论Hspice仿真结果表明该电路可以实现过温保护。
- 刘宁宁田泽李攀王进军张强
- 关键词：过温保护PTAT
- 带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准被引量：2
- 2007年
- 提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的过程中能够正常的工作而增加了软启动电路。采用UMC 0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSpice模拟表明基准具有较高的精度和较低的噪声,电源抑制比PSRR约为-80 dB。此外,由于快速启动电路的存在使得基准的建立时间从20 ms降至70μs。
- 张强陈贵灿田泽王进军李攀
- 关键词：带隙基准低噪声电源抑制比软启动电路
- 精密CMOS带隙基准及过温保护电路设计被引量：7
- 2007年
- 设计了一款带有软启动电路的精密CMOS带隙基准源,并且利用PN结正向导通电压具有负温度系数和基准源提供的偏置电流具有正温度系数的原理实现了过温保护功能。采用UMC公司0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明带隙基准的输出电压为1.293 V,且具有较高的精度和稳定性。在1.5V^4.0V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV;在-40℃~120℃的温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV;基准的输出启动时间约为25μs;当工作温度超过160℃时过温保护电路将输出使能信号关断整个系统。
- 张强陈贵灿田泽王进军李攀
- 关键词：带隙基准温度补偿软启动电路过温保护电路
- 一种带有浮动电流源的高性能CMOS运算放大器
- 本文设计了一种带有浮动电流源的高性能Rail-to-Rail CMOS运算放大器.该运算放大器采用恒定跨导输入和折叠式共源共栅结构,分别采用Cadence设计和Hspice仿真.其工作电压为4.5V～13V,开环增益为1...
- 张强田泽李攀刘宁
- 关键词：CMOS运算放大器RAIL-TO-RAIL恒定跨导
- 文献传递
- 基于二阶曲率补偿、电阻分压的基准源设计
- 为了满足低电源电压和输出电压高精度的要求,本文给出了一种标准CMOS工艺下的低电压基准电路,该电路使用了温度的二阶曲率补偿及电阻分压技术.Hspice的仿真结果表明,电路设计降低了电源电压,提高了输出电压的精度,且允许有...
- 李攀田泽强新建王进军
- 关键词：CMOS带隙基准曲率补偿
- 文献传递
- 一种低电压高精度CMOS带隙基准设计
- 2007年
- 设计了一种标准CMOS工艺下的低电压带隙基准电路,该电路使用了温度的二阶曲率补偿技术,使输出电压达到了较低的温度系数。HSPICE的仿真结果表明,该电路在-20℃~120℃的温度范围内,输出电压变化为500uV,在1.0V^1.8V的电源电压范围内,输出电压为284.6±0.3mV,电压抑制比约为60dB,最低工作电压接近于1V,在1.3V的电源电压时,总共耗为5uW,适合于低电压低功耗领域的应用。
- 李攀田泽强新建王进军
- 关键词：CMOS带隙基准曲率补偿
