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李保第

作品数:17 被引量:5H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电极
  • 3篇射频
  • 3篇芯片
  • 3篇晶体管
  • 3篇衬底
  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇引出电极
  • 2篇微波
  • 2篇内匹配
  • 2篇刻蚀
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇功率晶体管
  • 2篇功率芯片
  • 2篇二极管
  • 2篇放大器
  • 2篇SPC
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻

机构

  • 15篇中国电子科技...
  • 2篇河北半导体研...
  • 1篇专用集成电路...
  • 1篇山东省产品质...

作者

  • 17篇李保第
  • 8篇崔玉兴
  • 6篇付兴昌
  • 6篇付兴中
  • 5篇张力江
  • 5篇胡泽先
  • 3篇马杰
  • 3篇孙保瑞
  • 2篇潘宏菽
  • 2篇宋建博
  • 2篇吕元杰
  • 2篇周国
  • 2篇刘福庆
  • 2篇宋洁晶
  • 2篇李彦伟
  • 2篇王朋
  • 1篇卜爱民
  • 1篇杨中月
  • 1篇银军
  • 1篇倪涛

传媒

  • 5篇通讯世界
  • 3篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子工艺技术

年份

  • 7篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2010
  • 1篇2008
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
扫描电子显微镜在栅光刻工艺中的应用
2008年
阐述了扫描电子显微镜在解决栅光刻在线监测中遇到的问题和解决过程。在充分的理论分析基础上,通过大量实验研究,克服了光刻胶在高能电子辐照下变形、变性的问题;削弱了光刻胶样品表面荷电对图像质量的影响;在观测"T"型栅的胶窗口时采用特殊的工作条件获得了三层胶的立体形貌图像,从而能够观察三层胶的内部结构。上述问题的解决和技术的改进实现了栅光刻工艺的在线监测;并为栅光刻工艺的稳定和改进、产品成品率的提高提供了大量数据和图像。
李保第刘福庆付兴昌张绵
关键词:扫描电子显微镜二次电子荷电
半导体工艺线CAM及SPC的应用被引量:2
2010年
探讨了在多品种小批量半导体工艺生产线上开发应用CAM技术及实现SPC控制的方法。作者及同事开发了适用于所在工艺线特点的CAM软件系统程序——WI系统,用于工艺的指导和记录、生产的安排和监控以及数据的记录和提取。利用SPC方法对由WI提取的数据进行统计分析处理,做出控制图,对各种工艺异常进行分析判断进而做出工艺调整,以实现有效的工艺监控,逐步提高工艺加工能力和稳定性。该生产控制方法的应用为工艺线产品的研制和生产提供了有力保证。
李保第刘福庆李彦伟杨中月胡玲崔玉兴付兴昌
关键词:控制图
PIN二极管及其制备方法
本发明提供一种PIN二极管及其制备方法,其中,制备方法包括在N+衬底层的一面依次制备一层N‑外延层和一层P型欧姆接触层;按照预设刻蚀窗口对P型欧姆接触层进行刻蚀以形成台面结构;在台面结构上制备一层磨抛中止层,在磨抛中止层...
李保第侯钧杰周国付兴中毕胜赢朱延超胡泽先宋洁晶张力江崔玉兴
高效率小型化S波段160W功率放大器载片研制被引量:2
2021年
为了解决S波段160 W高效率功率放大器载片的小型化问题,本文采用GaN HEMT芯片和无源匹配电路,在混合集成电路工艺的基础上,以及脉宽2 ms、占空比10%的条件下,得出2.7~3.5 GHz频带内输出功率大于165 W、功率增益12 dB、功率附加效率大于67%的性能指标,这一产品的外形尺寸为10 mm×8 mm,可广泛应用于多种电子系统,希望本文提出的研究方法可为后续同类产品的研制提供参考。
范国莹银军王毅李保第倪涛余若祺徐会博董世良
SPC参数控制限和规范限的定义
2015年
介绍了定义SPC控制限和规范限的一套方法。在多品种小批量的化合物半导体前道工艺线推行SPC的过程中,针对不同参数的性质不同,分别总结出了三种不同的定义方法,从而对前道工艺流程的全部参数实行了SPC监控,并在实际的控制中证明该方法是有效的。该方法解决了困扰SPC使用者如何定义控制限和规范限的难题,尤其对于刚开始推行SPC的生产线有借鉴意义。
李保第李彦伟孙天玲闫锐崔玉兴付兴昌
关键词:SPC目标值CPK
功率芯片金-硅焊接空洞研究
2024年
金-硅(Au-Si)焊接通常用于装配射频电路中大功率的芯片,对芯片空洞率的要求极高,以此降低芯片装配的热阻和提高装配的可靠性,Au-Si焊接的主要方式为保护气氛下共晶摩擦焊。为降低Au-Si共晶摩擦焊的空洞率,对焊接载体的镀层进行研究,通过使用镍-钴(Ni-Co)镀层替代Ni镀层,增加Ni-Co镀层厚度,改善焊接效果,提高芯片装配的可靠性。
王朋范国莹白红美孙保瑞鲍帅李保第
关键词:空洞率
纳米银烧结GaN射频功率芯片研究
2024年
为了解决纳米银浆无压烧结GaN射频功率芯片时,高长宽比管芯出现的两端烧结不良问题,利用红外热像仪和扫描电镜等分析手段研究烧结过程,对纳米银浆的烧结机制进行了深入研究,对比多款烧结银浆的烧结效果,提出了半烧结银的工艺方案,成功解决了高长宽比芯片两端烧结不良的问题,实现了纳米银浆在GaN射频功率芯片无压烧结方面的工艺突破,以期在GaN高功率射频工程化应用中得到广泛推广。
白红美孙保瑞范国莹李保第
关键词:红外热像仪
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该制备方法,包括:在n型氧化镓沟道层、源电极和金属掩膜的表面制备光刻胶,随后对光刻胶进行烘烤和回流处理,形成光刻胶斜面;在光刻胶斜面上垂直注入元素,形...
刘宏宇吕元杰孙保瑞王元刚李保第胡泽先韩仕达卜爱民冯志红
T/R组件封装工艺中的气相清洗方法研究
2024年
为了清除残留在发射/接收(transmit/receive,T/R)组件封装过程中芯片粘接界面和引线键合焊盘的助焊剂,对助焊剂的清洗工艺进行选择,分析气相清洗工艺原理及局限,并提出气相清洗的工艺优化方案,通过提高助焊剂与正溴丙烷蒸汽接触时的温度差和表面浓度,显著提升正溴丙烷气相清洗的效果,大幅缩短清洗时间,以期为相关人员提供参考。
白红美范国莹李保第陆敏暖王俊刚
关键词:T/R组件助焊剂
一种提升电路板键合可靠性的前处理方法
2024年
为解决微波组件生产过程中多次使用钎焊与胶粘工艺,带来的助焊剂氧化残留、导电胶油剂沾污镀金焊盘和电路板加工生产过程引入的油墨沾污镀金焊盘等问题。对键合焊盘的前处理方法进行研究,提出一种激光微刻蚀键合焊盘的前处理方法,对电路板键合界面进行100%激光微刻蚀处理,使得键合界面“归一化”,提升键合焊点质量。彻底消除由于键合界面清理不彻底,导致虚焊、脱焊、键合强度偏低的现象,确保引线键合的可靠性,以期为微波组件生产工艺人员解决键合界面沾污问题提供参考。
王朋王芳范国莹付兴辰尉子健白红美李保第
关键词:金丝球焊等离子清洗
共2页<12>
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