李佳
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信建筑科学更多>>
- 原子层沉积低温生长α-MoO_(3)薄膜被引量：1
- 2022年
- 以六羰基钼和氧气为前驱体,通过等离子增强原子层沉积技术(PE-ALD)在硅基片上实现了α-MoO_(3)薄膜的低温制备。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析。研究发现衬底温度和氧源脉冲时间对MoO_(3)薄膜的晶体结构和表面形貌变化起关键作用。当衬底温度为170℃及以上时所制备的薄膜为α-MoO_(3);适当延长ALD单循环中的氧源脉冲时间有利于低温沉积沿(0k0)高度择优取向的MoO_(3)薄膜。根据对不同厚度MoO_(3)薄膜表面的原子力显微图片分析,MoO_(3)薄膜为岛状生长模式。
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- 关键词：原子层沉积
- 衬底表面处理对原子层沉积法生长GaN薄膜的影响被引量：1
- 2021年
- 采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析。结果表明,经预处理的蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜晶体质量明显提高,沿c轴高度择优取向生长;光学带隙约为3.48eV;薄膜呈n型导电特性,电阻率为2.551×10^(-2)Ω·cm,载流子浓度高达1.876×10^(19)cm^(-3),迁移率为13.04cm^(2)·V^(-1)·s^(-1);薄膜中Ga元素主要与N元素以Ga-N键生成GaN。
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- 关键词：GAN外延膜
- 添加剂对卫生陶瓷注浆成型石膏模性能影响的研究被引量：4
- 2013年
- 选择了三种成膜性较好的高分子物质羧甲基纤维素钠(CMC)、聚乙烯醇(PVA)和甲基硅酸钠对石膏模进行改性,并采用SEM测试方法对石膏晶体形貌进行表征分析。结果表明:这三种高分子添加剂都能显著降低石膏的溶蚀率和提高石膏试样强度。CMC由于羧基与钙离子结合可改变石膏晶体形貌,而PVA和甲基硅酸钠对石膏晶体形貌无影响,但分子中憎水基的存在使得石膏模瞬间吸水能力减弱。综合考虑,CMC、PVA和甲基硅酸钠的最佳添加量分别为石膏粉质量的0.03%、0.015%、0.075%。甲基硅酸钠相比而言更适合工业化生产作为石膏模改性添加剂。
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- 关键词：石膏模CMCPVA
