徐俞
- 作品数：27 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- HVPE生长GaN衬底研究进展
- 王建峰徐科任国强张纪才蔡德敏徐俞张育民胡晓剑王明月
- 高Q值GaN碟状微米谐振腔的光学特性研究被引量：2
- 2020年
- 通过氢化物气相外延(HVPE)方式在蓝宝石衬底上获得了GaN微米碟,其几何形态为规则的正六边形且表面平整,直径约为27μm,高度为15μm。光致发光(PL)实验结果表明,微米碟垂直方向和水平方向的光学谐振模式存在差异,其中水平方向支持回音壁模式(WGM)振荡。在室温条件下采用高能脉冲激光照射微米碟,当激励光功率超过7.8μW时,PL光谱在波长374 nm附近获得多模式激光信号,其中WGM激光占优势,品质因子可达3742。最后采用COMSOL仿真软件对谐振腔进行光场模拟,并分析了其光学模式特性。
- 何耿徐俞曹冰曹冰徐科
- 关键词：氮化镓回音壁模式紫外激光
- 氮化物同质外延的原位检测系统及方法
- 本发明公开了一种氮化物同质外延的原位检测系统及方法。所述的方法包括：在第一半导体层上同质外延生长第二半导体层时，同时以第一、第二入射光持续照射第二半导体层的表面，并使第一入射光在所述第二半导体层的表面被散射，以产生第一散...
- 王国斌张育民徐俞徐科
- 异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件
- 本发明公开了一种异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件，其中，异质结结构的制作方法包括：提供一具有原子台阶形貌的GaN衬底，在GaN衬底的表面上生长石墨烯层；其中，将GaN衬底的原子台阶的宽度设置为大于60nm，使得G...
- 冯会会徐俞徐科
- 文献传递
- 石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究被引量：3
- 2020年
- 本文研究了在石墨烯上生长GaN薄膜时晶体取向的变化。采用AlN成核层辅助生长,GaN由取向相差较大的小晶粒,逐渐合并为与石墨烯取向一致的晶粒,最终形成了约4.6μm厚的GaN薄膜。通过EBSD和XRD证实了GaN晶体取向一致性的提高,拉曼光谱也表明GaN晶体的高质量。
- 周浩周浩徐俞徐科徐科
- 关键词：GAN石墨烯ALN晶体取向
- 一种氮化硅单晶及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种氮化硅单晶及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用外延生长的方法在SiC衬底上直接外延生长作为插入层的多层石墨烯，制得石墨烯/SiC衬底；以及，将所述石墨烯/SiC衬底置于外延生长设备的反应腔室中，向所...
- 王钰宁徐俞王建峰徐科
- 文献传递
- 氮化物外延结构及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种氮化物外延结构及其制备方法和应用。所述制备方法包括：先在衬底表面形成碳化硅薄膜；至少将所述碳化硅薄膜的表层区域转化形成石墨烯层；在所述石墨烯层表面生长氮化物单晶，形成氮化物外延结构。本发明提供的一种氮化物...
- 王钰宁徐俞徐建喜王建峰徐科
- 氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种氮化物单晶薄膜及其制备方法和应用。所述基于铁电材料衬底远程外延生长氮化物单晶薄膜的方法包括：将铁电材料衬底的温度调节至铁电材料的居里温度点以上，并对所述铁电材料衬底施加电场进行极化处理，以将所述铁电材料衬...
- 屈艺谱徐俞王钰宁王建峰徐科
- 一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用
- 本发明公开了一种同质外延生长氮化镓的方法,其包括：提供氮化镓衬底；在所述衬底上转移或直接生长作为插入层的单层石墨烯；同质外延生长氮化镓。本发明以单层石墨烯为插入层同质外延生长氮化镓，可以获得大尺寸同质外延氮化镓单晶材料，...
- 徐俞王建峰徐科
- 文献传递
- 半导体材料的制备方法
- 本发明公开了一种半导体材料的制备方法，包括：以乙烯和/或乙炔为碳源，采用化学气相沉积法于未负载金属催化剂的基底上生长形成含表面缺陷的石墨烯；以及，以形成在所述基底上的、含表面缺陷的石墨烯作为衬底，并直接于所述衬底上外延生...
- 徐俞王建峰徐科
- 文献传递
