张辉军
- 作品数：22 被引量：40H指数：4
- 供职机构：黑龙江大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 利用TiO<Sub>2</Sub>/ZnO异质结复合薄膜降解甲醛的净化装置
- 利用TiO<Sub>2</Sub>/ZnO异质结复合薄膜降解甲醛的净化装置，它涉及一种降解甲醛的净化装置。本发明的目的是为了解决现有净化装置存在的无法有效降解甲醛问题。本发明的自动控制器(7)的上端设置在第二隔板(10)...
- 张辉军刘红梅郭靖邱成军
- 文献传递
- MEMS集成应用的纳米结构PZT厚膜形成工艺研究被引量：1
- 2006年
- 提出了制备PZT厚膜的一种新的旋转涂覆方法。采用0-3复合法将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料，并与PZT溶胶交替涂覆在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上，使PZT厚度达2μm，并且使PZT表面质量得到了改善。利用XRD和SEM对PzT厚膜的组织和结构进行了表征。得到的薄膜无裂纹，结晶和表面平整度良好，可用于MEMS中微型传感器和微型驱动器的制作。
- 刘红梅邱成军张德庆张辉军曹茂盛
- 关键词：厚膜MEMS
- 溶胶-凝胶法制作PZT微驱动器的研究被引量：2
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了PZT压电薄膜,利用PZT的压电效应制作以PZT薄膜为驱动的V型阀微驱动器。针对微驱动器的关键结构驱动膜,探索了Si/SiO2/Ti/Au/PZT/Cr/Au多层驱动膜结构制备方法,解决了在硅基底上制备PZT薄膜的问题,同时详细探讨了硅各向异性刻蚀微驱动器的关键部件驱动腔、单向阀的工艺,解决了集成制作的V型阀微驱动器的关键工艺问题,并通过SEM照片对V型阀和多层驱动膜进行了表征。研究结果表明,采用MEMS与IC技术结合的方法成功地完成了微驱动器的研制,得到的驱动腔硅杯平坦均匀。在V型阀微驱动器整体设计中需要的硅片数目少,降低了器件的复杂性,可以满足低功耗、小型化和批量生产的要求。
- 邱成军刘红梅张辉军赵全亮孟丽娜曹茂盛
- 关键词：PZT薄膜溶胶-凝胶法各向异性刻蚀微驱动器MEMS
- 硅PN结基底TiO_2氧传感器的特性研究被引量：2
- 2006年
- 采用薄膜工艺及MEMS工艺研制了一种以硅PN结为基底材料的TiO2氧传感器,阐述了该传感器的工作原理、工艺流程及射频磁控溅射制备银电极及TiO2薄膜的方法。利用XRD、SEM分析了薄膜的表面形貌及晶粒结构。基于该结构的氧传感器具有良好的感特性及响应特性,具有响应时间短、信号线性度好、灵敏度高等优点。
- 张辉军穆长生王璐
- 关键词：PN结射频磁控溅射氧传感器金红石相
- MEMS结构氧传感器的研究被引量：6
- 2005年
- 采用微加工技术研制了一种以硅为基底材料,具有MEMS结构的氧传感器。阐述了该传感器的工作原理、结构设计、工艺流程以及特性分析。给出了溅射制备TiO2薄膜的方法及锐钛矿型晶体结构能谱,讨论了二氧化钛的氧敏机理。研究表明与传统的气体传感器相比,此种传感器具有体积小、低功耗、可集成的特点。
- 邱成军刘鑫曲伟张辉军
- 关键词：MEMS氧传感器磁控溅射
- 磁控溅射制备掺银TiO_2薄膜的光催化特性研究被引量：11
- 2005年
- 利用交流磁控溅射设备采用金属Ti靶在石英和硅衬底制备掺银TiO2薄膜,并利用SEM,XRD及吸收光谱等方法分析测试TiO2薄膜的性质,探讨了掺银对TiO2薄膜吸收光谱的影响。并通过对甲基橙溶液浓度变化研究了掺银TiO2薄膜光催化特性,分析了掺银对TiO2薄膜增强光催化作用的工作机理,研究结果表明掺银有利于TiO2薄膜对有机物的降解作用。
- 邱成军曹茂盛张辉军刘红梅田风军刘鑫
- 关键词：锐钛矿相射频磁控溅射光催化活性
- 微电子机械的V型微阀的制作方法
- 微电子机械的V型微阀的制作方法。本发明包括：选用双面抛光P型(100)硅片厚度为330μm～550μm，双面氧化400nm，低温等离子体化学气相沉积，双面生长Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>200n...
- 邱成军曹茂盛张辉军曲伟孟丽娜
- 文献传递
- 锐钛矿纳米晶粒TiO_2薄膜的制备及分析被引量：3
- 2005年
- 以金属钛为靶材,采用射频磁控溅射方法制备纳米晶粒TiO2 薄膜。利用扫描电镜、紫外-可见光谱仪、X射线衍射仪研究不同热处理温度下制备的纳米晶粒TiO2 薄膜的结构及表面形貌。实验结果显示,用射频磁控溅射得到的纳米晶粒TiO2 薄膜与衬底结合紧密,薄膜表面致密、平整,经 550℃晶化的纳米晶粒TiO2 薄膜为均一的锐钛矿相,具有良好的紫外光吸收率。
- 张辉军邱成军
- 关键词：射频磁控溅射锐钛矿相金红石相
- 真空镀膜中膜厚均匀性的研究被引量：8
- 2002年
- 在半导体器件生产过程中 ,器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的。蒸镀不仅能制备引线 ,同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段。但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀 ,影响膜厚的因素很多 ,实际生产中 ,陪片由于与其它正片的几何位置不同 ,因此膜厚不同。其差别可达 1%～ 2 0 %,但在大量的文献分析及应用中被忽略。针对两种常见的蒸发源 ,通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位置 ,使误差可控制在 1%,甚至 0 .1%。
- 穆长生张辉军温殿忠
- 关键词：真空镀膜膜厚均匀性
- TiO2薄膜氧传感器的制备与性能测试
- 阐述了TiO2薄膜氧传感器的发展概况,分析了它的氧敏机理,并介绍了它的制备工艺。最后,对制成的TiO2薄膜氧传感器进行实验得出的结果和理论分析得出的结果进行比较,进一步给出TiO2薄膜氧传感器的特性。
- 刘鑫赵全亮张辉军邱成军
- 关键词：氧传感器TIO2
- 文献传递
