张绪瑞
- 作品数：13 被引量：23H指数：3
- 供职机构：天津大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 三氧化钨薄膜气敏传感器的表面改性方法
- 本发明公开了一种三氧化钨薄膜气敏传感器的表面改性方法，属于气敏传感器技术。其制备过程包括：对Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基片进行清洗；在磁控溅射设备中，采用铂为靶材，在氩气为工作气体，在基片上溅...
- 胡明尹英哲冯有才陈鹏张伟张绪瑞刘志刚
- 文献传递
- 基于纳米压痕法的多孔硅硬度及杨氏模量与微观结构关系研究被引量：7
- 2007年
- 采用电化学腐蚀制备多孔硅,利用场致发射扫描式电子显微镜(field emission scanning electron microscope,FESEM)观测多孔硅的二维微观形貌,利用Nano Indenter XP中的纳米轮廓扫描仪组件(nano profilometry,NP)得到其三维拓扑分析图像,分析了微观结构差异的原因并讨论了多孔硅内部微观结构对其机械性能的影响;利用MTSNano Indenter XP纳米压入测量仪器,研究了多孔硅的显微硬度和杨氏模量随压入深度的变化规律,比较了不同孔隙率多孔硅的机械性能差别.实验结果测得40mA/cm2,60mA/cm2,80mA/cm2和100mA/cm2四个不同腐蚀电流密度条件下制备多孔硅样品的孔隙率在60%-80%范围内,孔隙率随着腐蚀电流密度的增加而增大;在氢氟酸(HF)浓度为20%的条件下制备出多孔硅样品的厚度在40μm-50μm范围内;测得多孔硅的平均硬度、平均杨氏模量分别在0.478GPa-1.171GPa和10.912GPa-17.15GPa范围内,并且其数值随腐蚀电流密度的增加而减小,在纳米硬度范围内随压入深度的增加而减小,在显微硬度范围内其数值保持相对恒定,分析了样品表面、厚度、微观结构,及环境对其机械性能的影响,得到了多孔硅力学性能随其微观尺度形貌的变化规律.
- 杨海波胡明张伟张绪瑞李德军王明霞
- 关键词：多孔硅微观结构杨氏模量
- 微结构参数对多孔硅层热绝缘性能的影响
- 本文研究了多孔硅层厚度,孔隙率以及多孔硅中微晶粒尺寸三个微结构参数对其热绝缘性的影响机制.实验选用p+,p-两种掺杂浓度的硅片基底,采用电化学腐蚀法,通过改变腐蚀时间和腐蚀电流密度获得不同微结构参数的多孔硅层.分别采用显...
- 胡明张伟张绪瑞杨海波
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀显微拉曼光谱热导率微结构参数
- 文献传递
- 电化学法制备多孔硅的双槽装置
- 本发明涉及一种电化学法制备多孔硅的双槽装置，属于制备多孔硅的装置。该双槽装置包括槽体，在槽体内开设固定插槽，在固定插槽上插入“凹”形基板，采用螺钉将压板基板及垫板连接为一体，在由基板与压板及垫板所构成的凹形槽之间，设置一...
- 胡明张绪瑞张伟
- 文献传递
- 电化学法制备多孔硅的双槽装置
- 本发明涉及一种电化学法制备多孔硅的双槽装置，属于制备多孔硅的装置。该双槽装置包括槽体，在槽体内开设固定插槽，在固定插槽上插入“凹”形基板，采用螺钉将压板基板及垫板连接为一体，在由基板与压板及垫板所构成的凹形槽之间，设置一...
- 胡明张绪瑞张伟
- 文献传递
- MEMS微热敏器件中多孔硅绝热性能研究及模拟
- 近几年来,随着微电子机械系统/(MEMS/)的发展,多孔硅优良的机械性能和热学性能逐渐为人们所关注。本文主要针对多孔硅材料在MEMS微热传感器中作为绝热层的应用进行了研究及模拟。
本论文以多孔硅基热电偶式MEM...
- 张绪瑞
- 关键词：MEMS多孔硅有限元分析
- 文献传递
- 非制冷红外探测器多孔硅绝热层的研究
- 以多孔硅作为绝热层材料,采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法,在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜。实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅,利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50％,60％,70％三个多孔硅样品的微观形貌。...
- 杨海波胡明吕宇强甄志成张绪瑞张伟
- 关键词：非制冷红外探测器氧化钒多孔硅绝热层力学性能
- 文献传递
- 基于微拉曼光谱技术的氧化介孔硅热导率研究被引量：9
- 2008年
- 利用基于有效介质理论的介孔硅传热机理,提出一个用于分析氧化介孔硅热导率的理论模型,对影响氧化介孔硅有效热导率的因素进行了理论分析,得出用于计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备介孔硅,利用微拉曼光谱技术研究了氧化介孔硅热导率随所制备介孔硅孔隙率的变化规律,比较了经不同温度处理的氧化介孔硅的导热性能差异.孔隙率为60%,73.4%和78.8%的所制备介孔硅经300℃氧化处理后,其热导率值为8.625W/(m.K),3.846W/(m.K)和1.817W/(m.K);孔隙率为73.4%的所制备介孔硅经450℃,600℃氧化处理后,其热导率值为2.466W/(m.K)和2.100W/(m.K).由计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式得出的相应氧化介孔硅的有效热导率理论值分别为4.549W/(m.K),2.432W/(m.K),1.792W/(m.K),2.105W/(m.K)和2.096W/(m.K).研究分析表明理论计算与所获得的试验数据相一致.氧化介孔硅极低的热导率以及良好的机械性能使其作为一种良好的热绝缘材料有望广泛应用于热效应微系统中.
- 房振乾胡明张伟张绪瑞
- 关键词：有效热导率
- 氧化钒/多孔硅/硅结构的微观形貌、纳米力学及温敏特性被引量：5
- 2008年
- 采用电化学腐蚀法在硅基片表面形成多孔硅,利用直流对靶反应磁控溅射方法在不同电流密度条件下制备的多孔硅样品表面上溅射沉积了VOx薄膜,获得了氧化钒/多孔硅/硅(VOx/PS/Si)结构.采用场发射扫描电镜(FESEM)观测多孔硅及VOx/PS/Si结构的微观形貌,采用纳米压痕仪器测量VOx/PS/Si结构的纳米力学特性,通过电阻-功率曲线分析研究其温度敏感特性.实验结果表明,在40和80mA·cm-2电流密度下制备多孔硅的平均孔径分别为18和24nm,用显微拉曼光谱法(MRS)测量其热导率分别为3.282和1.278kW·K-1;VOx/PS/Si结构的电阻随功率变化的平均速率分别为60×109和100×109Ω·W-1,VOx/PS/Si结构的显微硬度分别为1.917和0.928GPa.实验结果表明,多孔硅的微观形貌对VOx/PS/Si结构的纳米力学及温敏特性有很大的影响,大孔隙率多孔硅基底上制备的VOx/PS/Si结构比小孔隙率多孔硅基底上制备的具有更高的温度灵敏度,但其机械稳定性也随之下降.
- 杨海波胡明梁继然张绪瑞刘志刚
- 关键词：氧化钒多孔硅微观结构温敏特性
- 非制冷红外探测器多孔硅绝热层的研究
- 2007年
- 以多孔硅作为绝热层材料,采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法,在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜。实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅,利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50%,60%,70%三个多孔硅样品的微观形貌。利用显微喇曼光谱法测量其热导率,分别为8.16,7.28和0.624W/mK;利用纳米压入仪测量氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量,测得沉积在孔隙率为50%,60%,70%的多孔硅基底上氧化钒薄膜的显微硬度分别为1.917,0.928和0.13GPa,杨氏模量分别为31.087,16.921和2.285GPa,而沉积在单晶硅基底的氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量分别为10.919GPa和193.792GPa,并分析了微观结构差异对多孔硅绝热性能和机械性能的影响,为非制冷红外探测器的工艺制作过程提供一定的热学力学参数。
- 杨海波胡明吕宇强甄志成张绪瑞张伟
- 关键词：非制冷红外探测器氧化钒多孔硅绝热层力学性能
