张效玮
- 作品数：15 被引量：35H指数：4
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器
- 本发明涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜导线以及金属膜与上电极的接触层和上电极；在衬底的下表面有...
- 赵红东康志龙何平孙梅韩力英田红丽张效玮
- 文献传递
- 基于MP3的汽车报站器被引量：6
- 2006年
- 要介绍一种基于AT89C51SND1C单片机和闪存实现的MP3公交车报站器,可通过键盘和播放列表文件实现高品质语音信息的播放,同时使用LED点阵显示播放的内容。报站器可作为优盘方便地更换语音文件,便于车载广告信息的更换。
- 贾科进张效玮王宝珠
- 关键词：报站器MP3FAT16文件系统AT89C51SND1C闪存LED点阵显示
- 非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法
- 本发明涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜导线以及金属膜与上电极的接触层和上电极；在衬底的下表面有...
- 赵红东康志龙何平孙梅韩力英田红丽张效玮
- 文献传递
- 毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究被引量：1
- 2012年
- 由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究。针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻。
- 张效玮贾科进房玉龙敦少博冯志红赵正平
- 关键词：短沟道效应毫米波
- GaN基HEMT器件抗逆压电性能研究被引量：2
- 2012年
- 可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能。当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛。根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分AlGaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析。分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性。
- 房玉龙敦少博尹甲运张效玮冯志红蔡树军
- 关键词：逆压电效应可靠性弹性势能
- 掺Pt的SnO_2薄膜气敏特性研究被引量：7
- 2008年
- 用直流磁控溅射法分别在Si(111)基片及陶瓷基片上制备掺有Pt的SnO2薄膜,并进行500℃～700℃退火处理,对掺杂前后的薄膜进行XRD分析,测试各掺杂样品气敏特性。500℃退火后,掺杂样品对各种有机气体有较高的灵敏度,随着溅射时间的延长,气敏特性提高。700℃退火后,45min溅射的样品对氨气有很高的灵敏度和很好的选择性,最佳工作温度为220℃左右。随着掺杂时间延长,气敏特性降低。
- 白振华潘国峰孙以材张效玮
- 关键词：磁控溅射气敏特性灵敏度
- 基于单片机MSC1210的智能电导率在线测量仪被引量：6
- 2007年
- 介绍了一种带有CAN总线接口的溶液电导率在线测试分析仪,该仪器能够真正实现一个全数字化的、双向的、多结点的通信链接,组成具有测量、控制、执行和过程诊断的综合控制网络。该电导率仪的微处理器选用单片机MSC1210,其内部集成了24位高精度的8通道A/D转换器。该仪器整体设计结构简单、测量精度高,经测定系统相对误差小于0.5%。
- 贾科进张效玮林波王宝珠王枫
- 关键词：电导率CAN总线单片机分析仪
- 分布式电导率在线测试分析系统
- 2007年
- 介绍了一种应用于半导体清洗技术的分布式电导率在线测试分析系统,该系统基于CAN总线传输网络,真正实现了一个全数字化的,双向的、多结点的通信链接,系统是具有测量、控制、执行和过程诊断的综合控制网络,并可方便地扩展底层检测设备.还提出了一种值得探讨的测量电导率的新方法,该方法利用单片机C8051F040内部的比较器和捕捉计数器实现,大大简化了硬件电路设计,能实现自动换档,温度自动补偿,电导率超限报警等功能.
- 张效玮贾科进林波孙以材
- 关键词：CAN总线
- 智能电导率测量系统的研制
- 电导率的测量广泛应用于环境监测、工业流程控制、医药卫生、科学研究和产品质量检验过程，其中环境水质监测、电子工业用水水质评定是最为突出的应用例子。随着工业的不断发展，越来越多的产品、技术开始对介质的导电性能、成份要求给出准...
- 张效玮
- 关键词：电导率智能测量系统导电性能无线传输单片机
- 文献传递
- Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
- 2013年
- InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明,在栅压+2 V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDS为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3%,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz。就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果。
- 张效玮贾科进房玉龙冯志红赵正平
- 关键词：INALN最高振荡频率
