张忠俊
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
- 供职机构：鲁东大学物理与光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 用脉冲激光沉积方法制备的ZnO薄膜的结构及光致发光特性
- 2012年
- 在从室温到800℃的温度范围内,用脉冲激光沉积方法在Al_2O_3(0001)衬底上制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜以及荧光光谱仪分别研究了衬底温度对ZnO薄膜表面形貌、结晶质量和光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜的结果表明,当衬底温度从室温升高到400℃时,ZnO薄膜的结构及结晶质量逐渐提高,而当衬底温度超过400℃时,其结构和结晶质量变差;在400℃下生长的ZnO薄膜具有最佳的表面形貌和结晶质量。室温光致发光的测量结果表明,400℃下生长的ZnO薄膜的紫外发光强度最强,且发光波长最短(386 nm)。
- 李少兰张立春张忠俊黄瑞志
- 关键词：ZNO薄膜衬底温度光致发光
- n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结的制备及光电性能研究
- 纤锌矿结构的ZnO是一种直接带隙宽禁带（室温下Eg=3.37eV）半导体材料，激子束缚能高达60meV。因此，用ZnO制备的发光二极管（LED）适合在高温、恶劣的环境下工作并获得高效、稳定的发光。半导体p-n结是发光器件...
- 张忠俊
- 关键词：异质结水热法ZNOGAN
- 文献传递
- MgO界面层对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED光电性能的影响
- 2014年
- 为了较好地实现n-ZnO的电致发光(EL),利用水热法在p-GaN外延片上制备了ZnO纳米棒阵列,构造了n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED原型器件,并研究了MgO界面层对器件光电性能的影响。结果表明,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结器件具有明显的二极管整流效应。室温、正向偏压下,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED仅在430nm附近具有单一的发光峰,而n-ZnO纳米棒/MgO/p-GaN异质结LED的电致发光光谱由一个从近紫外到蓝绿光区的宽发光带组成。结合光致发光(PL)谱和Anderson能带模型,深入分析了n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结的载流子复合机制。
- 张忠俊张立春赵风周曲崇黄瑞志张敏李清山
- 关键词：P-GAN异质结
- n-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器及其光电性能研究被引量：8
- 2014年
- 利用脉冲激光沉积(PLD)方法在p-GaN衬底上沉积了n-ZnO薄膜,构造了n-ZnO/p-GaN异质结型紫外(UV)光-电探测器原型器件,在(UV)光照条件下测试了器件的光电性能。扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明,ZnO薄膜具有很好的结晶质量;I-V曲线显示,器件在黑暗和光照环境下都表现出明显的整流行为;光谱响应曲线表明,器件响应度峰值出现在364nm附近,当反向电压为-5V时光电流达到饱和,此时响应度峰值达到1.19A/W。不同反向工作电压下的光谱探测率曲线表明,器件对364nm附近的UV光有较强的选择性,在-2V偏压下具有最佳的探测率,其探测率峰值达到8.9×1010 cm·Hz1/2/W。
- 黄瑞志曲崇李清山张立春张忠俊张敏赵风周
- 关键词：探测器ZNO异质结响应度
