张仕国
- 作品数：14 被引量：19H指数：3
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家教育部博士点基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硅液相外延的线、点生长被引量：2
- 1998年
- 研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过程，则可以在硅（１１１）面可以实现单晶点外延生长。
- 江鉴张仕国
- 关键词：液相外延硅
- 硅液相外延的最新进展被引量：1
- 1996年
- 文章系统综述了硅液相外延最新进展，总结了近期硅液相外延技术在系统改进、低温外延、器件应用等各方面的成果，指出硅液相外延技术将在硅器件制造中发挥更大的作用。
- 江鉴张仕国
- 控制真空镀膜蒸发速率的微处理机被引量：1
- 1992年
- 本文报道了在本实验室制作并开始使用的控制真空蒸发速率的微处理机(单板机)。它利用石英晶体振荡器为探测器,将该振荡器随膜厚不同而频率变化的交流信号反馈到微中心处理器。中心处理器将这交流信号和预期的蒸发速率比较,利用其差去控制给蒸发源的功率。该处理机具有结构简单、制作容易、蒸发速度可以控制在4％的程度范围内等优点。另外,如与微机联用其蒸发速度可以自动记录。制造或使用数字式频率计的工厂、实验室如能利用或参考该机的原理、线路图,将在不增加很多费用的前提下,使仪器性能更完美,更实用。
- 张仕国D.E.Brodie
- 关键词：微处理机真空镀膜
- 用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层
- 1998年
- 以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ．由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况．
- 张仕国江鉴陈立登袁骏张民杰
- 关键词：液相外延
- 反应蒸发制备nmSi-SiO_x发光薄膜
- 1999年
- 报道了用真空反应蒸发制备nmSi/SiOx 薄膜 ,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜 ,研究了不同条件下得到的nmSi SiOx 薄膜的结构和组分。实验发现以SiO为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析nmSi SiOx 薄膜发光机制可能是由纳米硅量子效应引起的 ,界面效应和缺陷对薄膜PL可能没有贡献 。
- 张仕国樊瑞新邓晓清袁骏陈伟
- 关键词：发光纳米硅氧化硅
- 硅液相外延的溶剂选择被引量：1
- 1996年
- 本文系统综述了硅液相外延中对各种溶剂的选择。重点叙述了Cu、Ga、Au、In、Sn、Pb等纯金属及Ag基、Au基、Al基合金作为溶剂,对硅液外延薄膜的影响。最后指出只要根据器件对外延层及工艺成本等的要求,可以找到适当的溶剂材料进行硅液相处延。
- 江鉴张仕国
- 关键词：溶剂
- AIN薄膜的研究进展被引量：6
- 1996年
- ＡＩＮ是一种重要的近紫外、蓝光半导体材料。本文就ＡＩＮ的物理特性，薄膜生长，性能测试分析的研究进展作一些阐述。对ＡＩＮ在制作发光器件、固溶体合金。
- 张伟张仕国
- 关键词：氮化铝宽禁带半导体薄膜生长
- 硅液相外延工艺研究被引量：3
- 1998年
- 根据硅液相外延研究过程中的现象及结果，具体讨论了硅液相外延工艺中四个关键环节，给出了衬底处理，溶源，衬底保护，残余熔体处理的方法。
- 江鉴张仕国
- 关键词：硅液相外延LPE衬底
- 衬底温度对纳米Si-SiO_x薄膜的结构和组分的影响被引量：1
- 1998年
- 本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术，研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响．实验发现在真空为５×１０－３Ｐａ、衬底温度在２８０～４８０℃范围内，随着温度的提高，薄膜由非晶、转化为纳米晶体、再转化为多晶，氧含量也随着温度的提高而增加。
- 张仕国张伟袁骏樊瑞新
- 关键词：纳米硅衬底氧化硅半导体薄膜技术
- Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜被引量：3
- 1997年
- 本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表明，薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰，其生长晶面为（1120），是AlN的解理面．在较高的生长温度下，生长速率较低，得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽（0．5°）、Al和N更趋向于化学计量比结合．从扫描电镜测试看出，薄膜表面平整光滑、无裂纹，说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良．最后，NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论．
- 张伟张仕国袁骏
- 关键词：半导体硅衬底AIN单晶薄膜
