廖谦
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>
- O_2分子在Al(110)表面选择吸附性的对比研究被引量：1
- 2015年
- 采用密度泛函理论中广义梯度近似(GGA)计算方法对比分析了O2分子在Al(110)面3个不同吸附位(顶位、桥位和穴位)的吸附性质,通过吸附能的比较,桥位的吸附能高于顶位和穴位,是最佳的吸附位。吸附质的态密度、吸附物O2分子轨道电荷分布的变化以及金属表面原子轨道电荷分布的变化揭示了吸附过程中电荷的转移趋势。计算结果表明,通过分析吸附质的原子轨道电荷分布和电子态密度,发现O2在Al(110)表面吸附的过程中,主要是O原子的2P轨道和Al的3S轨道的电子相互作用,并展示出较强的化学吸附。
- 陈倩炎正馨闫东芝龚安廖谦王永胜
- 关键词：O2化学吸附密度泛函理论
- 甲烷在硅(110)圆孔表面物理吸附特征的对比（英文）
- 2016年
- 基于第一性原理广义梯度近似的方法(GGA)对比研究了甲烷分子在多孔硅(110)不同位置分布的圆孔表面物理极化特征。计算结果表明:相邻孔的位置分布及其内部吸附的甲烷分子间的作用会影响甲烷在圆孔表面的吸附特征。吸附后甲烷的C-H键布局增加,C-H键长变化很小,圆孔表面硅原子的少量电子转移至甲烷,甲烷成键轨道的态密度的离域性增加。同时发现单个甲烷分子在竖直分布圆孔表面吸附时,甲烷吸附能较大而且系统的结构相对稳定。
- 龚安炎正馨田玉仙陈倩廖谦闫东芝
- 关键词：甲烷分子物理吸附多孔硅第一性原理
- 甲烷在多孔硅表面物理吸附特征研究(英文)被引量：1
- 2014年
- 在密度泛函理论耦合超软贋势第一性原理的平台上,研究了甲烷在Si(111)表面的物理吸附特性.通过建立硅晶胞的不同吸附位置(top、bridge、fcc)模型,对比分析了甲烷在相应位置吸附界面变化的键结构、吸附能和态密度,获得了相应吸附点的吸附特征.对比分析的结果表明,甲烷只有在fcc位置物理吸附状态较为理想.分析态密度、键长及键角等数据揭示fcc位甲烷吸附对体系硅晶胞有很大的影响,其体系的键能最低,即此时体系结构最稳定.本文所得研究成果可用于Si表面对甲烷气体的敏感性分析及气体传感器领域.
- 闫东芝炎正馨龚安陈倩廖谦
- 关键词：甲烷硅表面物理吸附密度泛函理论
- SiC吸附极性分子诱导Lorenz电路的机理分析
- 气敏薄膜器件吸附极性气体分子产生微弱的电流变化可用来诱导混沌电路，进而产生不同混沌吸引子相图可表征气体浓度空间分布，由此制作的气敏传感器具有很大发展前景。目前虽然气敏传感器种类繁多，但在实际应用中存在各种各样的问题，尤其...
- 廖谦
- 关键词：瓦斯传感器碳化硅混沌系统
