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Sn-Cu薄膜的沉积行为及其微观形貌分析被引量：1: 2011年; 利用电沉积法,在酸性镀液中制得Sn-Cu薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)及能谱仪(EDS)研究镀液中主盐浓度、电镀工艺条件及添加剂对薄膜形貌的影响,并借助循环伏安曲线研究不同条件对Sn-Cu沉积行为的影响。研究结果表明:镀液中主盐浓度的增大促进了Sn-Cu的还原沉积;添加剂的引入对金属离子具有较强的螯合作用,限制了镀液中自由金属离子的浓度,使得合金沉积电位负移;此外,镀液中Sn2+浓度变化对镀层晶粒粒度影响较大,改变Cu2+浓度对镀层的平整度影响较大;电流密度增加、温度降低及加入添加剂,都能细化镀层晶粒。; 胡炜谭澄宇崔航郑子樵贺甜; 关键词：电沉积可焊性镀层循环伏安

Cu/Fe复合粉末的制备及其相关机理研究: 金属包覆型复合粉末在宏观上具有均一性，在微观上具有多相性。它是一种新型多相复合粉末合金材料。本文通过动力学试验，研究转速、温度、pH值以及主盐浓度对置换速率的影响，在此基础上求出了Cu2+的扩散系数和反应活化能。并通过表...; 崔航; 关键词：热力学性能钝化剂

Sn-Cu合金的电沉积行为及添加剂的影响被引量：6: 2010年; 利用循环伏安和计时安培研究Sn-Cu合金体系在玻碳电极上的电沉积行为,通过阴极极化曲线、SEM观察及EDS分析讨论柠檬酸和硫脲对Sn-Cu共沉积的影响。结果表明,Sn-Cu共沉积过程为扩散控制的不可逆过程;在沉积电位-600～-750mV的范围内Sn-Cu共沉积初期结晶行为满足三维Scharifker-Hills瞬时成核模型,随着过电位的增大,形核活性点增多,形核弛豫时间缩短;当沉积过电位大于-700mV时,Sn2+的扩散系数约为6.435×10-6cm2/s;柠檬酸和硫脲的加入细化了镀层晶粒,使镀层表面更加平整和致密。此外,硫脲的加入降低了镀层中铜的含量,使合金镀层中铜的含量维持在0.5%～2.0%(质量分数)。; 胡炜谭澄宇崔航郑子樵; 关键词：形核循环伏安电沉积

纳米-Al_2O_3颗粒对镍电结晶初期阶段的影响(英文)被引量：5: 2010年; 利用循环伏安(CV)、计时安培(CA)和电化学阻抗(EIS)研究了纳米Al2O3颗粒在不同电位(vs.SCE)下对Ni自硫酸盐镀液在铜基体上电沉积的影响。结果表明,Ni-Al2O3体系共沉积的起始电位为:–740mV左右;在不同的电位下,纳米-Al2O3颗粒对镍沉积过程的影响有所差别;在电位–740～–830mV范围,与纯Ni沉积相比较,Ni-Al2O3体系沉积的峰电流所对应的孕育期tm明显缩短,反映Al2O3颗粒在阴极表面有利于镍沉积成核,且促进了电结晶成核。Al2O3颗粒吸附在阴极表面可能会阻碍部分离子电荷放电和物质传输过程,尤其在电位–250～–650mV范围,致使Ni-Al2O3体系沉积阻抗增加。在较高的过电位下,Al2O3颗粒的促进作用有所减弱,许多颗粒堆积在电极表面上还可能减小Ni-Al2O3沉积的还原反应电流。在电位–890mV,Ni-Al2O3体系电沉积初期阶段的成核过程基本遵循三维的Scharifker-Hill瞬时成核模式。; 谭澄宇崔航胡炜刘宇郑子樵; 关键词：共沉积

Ni-SiC复合梯度镀层的耐腐蚀性能被引量：7: 2009年; Ni-SiC复合梯度镀层比普通复合镀层性能要优,应用要广,但过去对其耐蚀性研究不多。通过对电流密度、搅拌强度和镀液中SiC浓度等电镀工艺条件的优化,制备了新型Ni-SiC复合梯度镀层。采用扫描电镜对其表面和断面形貌进行了观察,并借助电化学手段研究了Ni-SiC复合镀层在3.5%NaCl腐蚀液和3.5%NaCl+0.3%H2O2腐蚀液中的耐蚀性能。结果表明:在复合镀层中,SiC微粒沿镀层生长的方向呈梯度分布,在镀层表面呈均匀弥散分布;在3.5%NaCl腐蚀液中纯镍镀层的耐腐蚀能力与复合镀层相当;在3.5%NaCl+0.3%H2O2腐蚀液中,由于SiC微粒包裹在Ni-SiC复合镀层内,彻底改变了镀层的表面形貌和组织结构,细化了镀层晶粒,所以改善了Ni-SiC复合镀层的耐蚀性能。; 胡炜谭澄宇崔航刘宇; 关键词：电沉积阻抗谱耐蚀性

Ni-SiC电结晶沉积层的阻抗谱及SiC颗粒对Ni沉积的影响被引量：2: 2009年; 前期研究发现,SiC颗粒在阴极有利于Ni结晶形核,为此研究了在电位-250～-1 050 mV(vs SCE)下,Ni-SiC复合体系电沉积阻抗谱特征,利用扫描电镜(附能谱仪)观察了Ni-SiC体系复合沉积初期的表面形貌。结果表明:Ni-SiC体系Nyquist谱主要表现为一个压扁的容抗半圆,随着电位负移,Ni-SiC沉积的电化学阻抗值基本呈下降趋势。在电位-750～-1050 mV,Nyquist谱低频段还伴随一个感抗弧,Ni-SiC沉积的阻抗显著减小,反映Ni在铜基体上开始电结晶形核/生长;在低过电位(-250～-650 mV)下,SiC颗粒明显降低了Ni-SiC体系Ni沉积还原反应的电荷转移电阻;分析认为:SiC微粒在阴极表面上对镍的中间产物生成起到了活化作用。; 谭澄宇刘宇胡炜崔航; 关键词：共沉积电化学阻抗谱

铜经BTA和MBT钝化处理后在NaCl溶液中电化学行为分析被引量：7: 2011年; 采用电化学极化曲线、循环伏安曲线和电化学阻抗谱研究铜经苯并三氮唑(BTA)和2-巯基苯并噻唑(MBT)钝化处理后在3.5%NaCl溶液中的电化学行为。两者复配使用增强对铜电极的阳极和阴极电化学过程的抑制作用,增大了膜电阻,从而具有较好的缓蚀协同效应。并通过扫描电镜观察,直观地表征出BTA和MBT的复配增强对铜腐蚀的抑制作用。; 崔航谭澄宇郑勇贺甜; 关键词：苯并三氮唑 2-巯基苯并噻唑交流阻抗谱

纳米Al_2O_3颗粒对镍电结晶过程的影响: 2009年; 借助循环伏安(CV)和计时安培(CA)研究了在不同电位下,纳米Al2O3微粒对镍由硫酸盐混合溶液在铜基底上电结晶沉积的影响.结果表明,Ni-Al2O3镀液体系电沉积的起始电位约为-740 mV.随着阶跃电位负移,Ni-Al2O3镀液体系电沉积成核时间tm逐渐缩短.与纯Ni镀液体系电沉积的tm相比,在-740^-830mV较低阶跃电位下,Ni-Al2O3镀液体系电沉积的成核时间tm明显缩短,表明Al2O3微粒有助于镍的电结晶成核.在-890 mV阶跃电位下,Ni-Al2O3镀液体系电沉积初始阶段的成核过程满足Scharifker-Hills三维瞬时成核模型.; 谭澄宇胡炜崔航刘宇

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崔航