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尹红星
作品数:
11
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供职机构:
中国科学院物理研究所
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合作作者
杨海方
中国科学院物理研究所
顾长志
中国科学院物理研究所
夏晓翔
中国科学院物理研究所
刘哲
中国科学院物理研究所
田士兵
中国科学院物理研究所
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杨海方
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中国物理学会...
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一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法
本发明是一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法,在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶,利用纳米尺度图形在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形,得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品;利用蒸发工艺,在含有圆形体结构光刻胶阵...
杨海方
刘哲
顾长志
夏晓翔
尹红星
文献传递
一种在GaP表面制备锥状结构的方法
本发明提供一种在GaP表面制备锥状结构的方法,在GaP样品表面上旋涂光刻胶,利用微、纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备孔状光刻胶阵列图形,得到含有孔状光刻胶阵列图形的样品;利用金属镀膜设备,在含有孔状光刻胶阵列图形的样品...
杨海方
刘哲
顾长志
尹红星
夏晓翔
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利用特殊光学效应的紫外光刻制备三维微纳米结构
尹红星
杨海方
顾长志
关键词:
紫外曝光
菲涅尔衍射
三维微米凹球的制备方法
本发明提供了一种三维微米凹球的制备方法,包括如下步骤:在衬底上旋涂正型光刻胶并烘干;通过掩膜板采用紫外线对所述正型光刻胶进行曝光;对曝光后的正型光刻胶进行显影得到光刻胶图形,利用干法刻蚀将所述光刻胶图形转移到所述衬底上;...
顾长志
尹红星
杨海方
刘哲
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在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法
本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法,其步骤包括:在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶,利用热板或烘箱对其进行烘烤;根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版;利用紫外光刻设备,采用...
杨海方
尹红星
顾长志
刘哲
夏晓翔
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实现增强LED样品光提取效率的三维类球形结构及制备方法
本发明是一种三维类球形结构的制备方法,其步骤包括:在样品上旋涂光刻胶,利用热板或烘箱对样品上的光刻胶进行前烘;根据所要制备的图形尺寸及形状并考虑邻近效应制备相应的掩膜版;利用紫外光刻机,采用欠曝光对样品进行曝光并显影处理...
杨海方
尹红星
顾长志
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刘哲
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刘宝利
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在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法
本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法,其步骤包括:在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶,利用热板或烘箱对其进行烘烤;根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版;利用紫外光刻设备,采用...
杨海方
尹红星
顾长志
刘哲
夏晓翔
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一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法
本发明是一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法,在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶,利用纳米尺度图形在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形,得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品;利用蒸发工艺,在含有圆形体结构光刻胶阵...
杨海方
刘哲
顾长志
夏晓翔
尹红星
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一种制备自封闭纳米通道的方法
本发明公开了一种制备自封闭纳米通道的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤A:对衬底进行清洗并烘干,在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层;步骤B:在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形;步骤C:采...
顾长志
尹红星
李俊杰
田士兵
全保刚
夏晓翔
杨海方
文献传递
一种在GaP表面制备锥状结构的方法
本发明提供一种在GaP表面制备锥状结构的方法,在GaP样品表面上旋涂光刻胶,利用微、纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备孔状光刻胶阵列图形,得到含有孔状光刻胶阵列图形的样品;利用金属镀膜设备,在含有孔状光刻胶阵列图形的样品...
杨海方
刘哲
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