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宋力波

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇制版
  • 2篇自对准
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 2篇腐蚀速率
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇T形栅

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇冯震
  • 2篇宋力波
  • 2篇王同祥
  • 2篇丁奎章

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法
本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法，它用普通工艺设备，采用双层光刻胶，利用两种介质腐蚀速率差异大的特性，反应离子刻蚀后，去除腐蚀速率快的介质，由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻，不用套...
丁奎章宋力波王同祥冯震
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半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法
本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法,它用普通工艺设备,采用双层光刻胶,利用两种介质腐蚀速率差异大的特性,反应离子刻蚀后,去除腐蚀速率快的介质,由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻,不用套...
丁奎章宋力波王同祥冯震
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