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孙虹

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇量子级联
  • 3篇量子级联激光...
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇电学
  • 2篇欧姆接触
  • 1篇单晶
  • 1篇单模
  • 1篇电学补偿
  • 1篇电学性质
  • 1篇淀积
  • 1篇亚表面损伤层
  • 1篇损伤层
  • 1篇欧姆接触电极
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光晶片
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇面发射
  • 1篇接触电极

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇孙虹
  • 3篇梁平
  • 3篇胡颖
  • 3篇郭瑜
  • 3篇刘峰奇
  • 3篇刘俊岐
  • 2篇路秀真
  • 2篇王占国
  • 2篇李路
  • 1篇林兰英
  • 1篇陈涌海
  • 1篇常秀兰
  • 1篇李成明
  • 1篇徐寿定
  • 1篇万寿科
  • 1篇尹玉华
  • 1篇杨锡权
  • 1篇邵晔
  • 1篇邵烨
  • 1篇金鹏

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第八届全国固...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2002
  • 1篇1991
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法
一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的...
刘俊岐刘峰奇路秀真郭瑜梁平胡颖孙虹
文献传递
红外量子级联激光器材料和器件
刘峰奇王占国郭瑜路秀真刘俊岐常秀兰金鹏梁平胡颖孙虹李路邵晔李成明徐波陈涌海
量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极光源，中科院半导体研究所材料科学重点实验室在量子级联激光器研究中取得突破性进展。研制出了世界上第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/InAl...
关键词：
关键词：量子级联激光器红外
SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究被引量：3
1991年
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶热不稳定的本质进行合理解释,而且还为研制高热稳定的GaAs材料提供了科学依据.
王占国戴元筠徐寿定杨锡权万寿科孙虹林兰英
关键词：热稳定性电学补偿
GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆...
刘俊岐刘峰奇李路邵烨郭瑜梁平胡颖孙虹
文献传递
GaAs抛光晶片亚表面损伤层结构分析
采用范德堡霍尔方法测量GaAs抛光晶片的电学性质(迁移率、电导率、载流子浓度),根据迁移率、电导率、载流子浓度随样品截面积减小(用化学腐蚀方法来减小)时的变化来检测损伤层的存在及其深度.由Read的位错散射理论计算得到位...
孙虹尹玉华郑红军
关键词：抛光损伤层电学性质
文献传递
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