唐云
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：装甲兵工程学院材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术轻工技术与工程化学工程更多>>
- 硅基体离子注入氮、硼对c-BN膜制备的影响研究
- 本文探索研究了硅基体注入氮、硼元素对后续射频磁控溅射沉积制备c-BN薄膜的影响,试验结果表明:离子注氮能有效提高薄膜的立方相含量和少量降低内应力,并存在一个较佳注入剂量9.6×1017ions/cm2,此时薄膜的立方相含...
- 蔡志海谭俊张平唐云
- 关键词：立方氮化硼薄膜离子注入射频磁控溅射相结构
- 文献传递
- 高速钢基体离子注入氮、硼对c-BN薄膜制备的影响研究
- 本文采用射频磁控溅射法在离子注入氮、硼的高速钢基体上沉积制各c-BN薄膜,研究了不同成分的缓冲层对c-BN薄膜相结构和内应力的影响;采用各种现代分析方法薄膜进行了表征分析,包括傅立叶红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱...
- 谭俊蔡志海张平唐云
- 关键词：立方氮化硼薄膜高速钢离子注入射频磁控溅射
- 文献传递
- 硼膜多步骤注N的镀层结构研究
- 2002年
- 用离子束溅射硼靶,在W6Mo5Cr4V2钢上沉积一层硼膜,再用反冲注入法注氮以形成氮化硼(BN),注入时采用逐次递减能量(即50 keV,30 keV,10 keV)的多步骤注入。用XPS分析膜的成分深度分布及元素的化学价态;用傅立叶红外(FTIR)反射谱分析膜的结构,结果表明:膜基界面产生混合,与用单一能量注入相比,多步骤注入时,膜层的N/B分布比较均匀;硼在膜中以BN形式存在,膜深度较大处为a-BN或h-BN,并且随着深度的降低,膜有向c-BN转化的趋势。
- 唐云张平谭俊蔡志海
- 关键词：镀层离子注入氮化硼
- 立方氮化硼薄膜的制备与表征被引量：9
- 2002年
- 在对国内外立方氮化硼薄膜的制备工艺及其表征方法进行了综述的基础上,分析了立方氮化硼膜制备中存在的问题,即薄膜的内应力高,结合强度低,沉积温度高,沉积速率低,以及cBN中SP3键含量不稳定。并提出了今后的研究方向:①cBN膜成核生长机理问题;②低温下大面积、高速生长的异质外延和定向生长问题;③膜基结合问题;④发展新的成膜技术,寻求无毒无污染的反应材料;⑤开发cBN膜的应用。
- 谭俊蔡志海张平唐云
- 关键词：立方氮化硼PVDCVD
- 高速钢基体离子注氮对c-BN薄膜制备的影响研究
- 2004年
- 采用射频磁控溅射法在离子注氮的高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜,主要研究离子注氮层对c-BN薄膜相结构和内应力的影响;采用各种现代分析方法对沉积的薄膜进行了表征分析,包括傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等分析方法;试验结果表明:高速钢基体上离子注氮有利于立方氮化硼含量的提高和薄膜内应力的降低,同时注氮处理的高速钢基体上沉积的薄膜表面形貌平整,结晶性较好。并采用X射线衍射分析(XRD)对高速钢基体的离子注氮层进行了相结构分析,探索研究了离子注氮层对c-BN薄膜生长的影响。
- 谭俊蔡志海张平唐云
- 关键词：立方氮化硼薄膜射频磁控溅射
- 多步法在硼膜中注N的结构研究
- 2005年
- 用离子束溅射硼靶，在W6Mo5Cr4V2钢上沉积一层硼膜，然后用反冲注入的方法注氮以形成氮化硼(BN)，注入时采用逐次递减的能量，即50keV，30keV，10keV(称之为多步骤注入)。用XPS分析膜的成分深度分布及元素的化学价态：用傅立叶红外(FTIR)反射谱分析膜的结构，结果表明：膜基界面产生混合，与用单一能量注入相比，多步骤注入时，膜层的N／B分布比较均匀；硼在膜中以BN形式存在，膜深度较大处为a-BN或h-BN，并且随着深度的降低，膜有向c-BN转化的趋势。
- 唐云张平谢凤宽
- 关键词：BN氮化硼价态反射谱
- 辅助镀膜离子源及立方氮化硼薄膜的制备研究被引量：1
- 2003年
- 为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用制备立方氮化硼薄膜,用红外光谱(FTIR)及光电子能谱(XPS)分析技术,对不同辅助离子源制备沉积的薄膜,进行比较表征,得出结论:低能辅助镀膜离子源,比高能辅助镀膜离子源更适用于制备立方氮化硼薄膜.
- 蔡志海谭俊唐云张平
- 关键词：离子源离子束辅助沉积立方氮化硼薄膜
- 高速钢基体注硼对cBN薄膜结合性能的影响
- 在W6Mo5Cr4V2钢基体上反冲注入硼元素,用划痕试验测量cBN薄膜的临界载荷。结果表明,基体离子注入硼元素能够显著提高薄膜的临界载荷,最高时可达未注入时的近16倍,约为27.5N。随着注入剂量的增加,临界载荷呈上升趋...
- 张平蔡志海谭俊唐云赵军军
- 关键词：高速钢立方氮化硼薄膜结合力
- 文献传递
- 离子束辅助沉积立方氮化硼的试验研究被引量：2
- 2003年
- 运用离子束辅助沉积(IBAD)法在硅片上制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜, 研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中c-BN含量的影响。用红外光谱(FTIR)及X射线光电子能谱(XPS)分析技术对得到的c-BN膜进行了分析。结果表明: 合适的离子辅助能量能够获得c-BN含量高的薄膜; 膜中c-BN的含量随辅助气体中N2含量的提高而增加;辅助束流对薄膜的形成影响不明显。
- 谭俊张平蔡志海王晓晴唐云
- 关键词：立方氮化硼薄膜离子束辅助沉积红外光谱分析
