周航
- 作品数：14 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响被引量：5
- 2014年
- 对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。
- 丛忠超余学峰崔江维郑齐文郭旗孙静周航
- 关键词：总剂量辐射效应MOS晶体管三极管
- 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析被引量：1
- 2015年
- 对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律.研究结果显示,质子与中子辐照均会引发暗信号退化,其退化的规律与位移损伤剂量变化一致;退火后,质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复,其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%;中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号.质子和中子在N+埋层产生相同位移损伤剂量的情况下,两者导致的体暗信号增长量相同,质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的.
- 曾骏哲李豫东文林何承发郭旗汪波玛丽娅魏莹王海娇武大猷王帆周航
- 关键词：电荷耦合器件质子辐照中子辐照
- 总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应
- 2016年
- 空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅(SOI)技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,有助于对SOI器件空间应用的综合可靠性进行评估.通过预辐照和未辐照、不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比,发现总剂量损伤导致热载流子损伤增强效应,机理分析表明该效应是STI辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起.与未辐照器件相比,预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大,器件的转移特性曲线、输出特性曲线、跨导特性曲线以及关键电学参数V_T,GM_(max),ID_(SAT)退化较多.本文还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一特殊现象进行了讨论.
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- 关键词：绝缘体上硅电离辐射热载流子
- 总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响被引量：2
- 2018年
- 为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数。结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流子效应受辐射的影响越显著,总剂量辐射后热载流子效应对器件的损伤增强。分析认为,辐射在STI中引入的陷阱电荷是导致以上现象的主要原因。该研究结果为辐射环境下器件的可靠性评估提供了依据。
- 苏丹丹周航周航崔江维郑齐文崔江维孙静余学峰魏莹
- 关键词：NMNMOSFET总剂量效应热载流子效应
- 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究被引量：5
- 2015年
- 随着半导体技术的进步,集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域,使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战.进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估.参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取,对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究.通过试验对比,定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响,得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化,在不同阶段对器件参数的影响.结果表明,总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化,二者的共同作用远大于单一影响因子.
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- 关键词：可靠性总剂量效应
- 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应被引量：4
- 2016年
- 对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤,并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤.虽然NMOSFET低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤,但室温退火后,高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤.研究结果表明0.18μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应.利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.
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- 关键词：总剂量辐射效应超深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管静态随机存储器
- 一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统
- 本发明涉及一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统，该系统是由辐照电路模块、激励输出模块、数据处理模块、错误显示模块、写读控制模块、下载配置模块、精准电源和铅屏蔽室组成，本发明采用闪存作为数据载体，以现场可编程门阵列作为控制...
- 余学峰丛忠超郭旗崔江维郑齐文孙静周航汪波
- 文献传递
- 静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法被引量：2
- 2014年
- 以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结果表明:由于静态随机存储器存在多种总剂量失效模式,相对于在线测试只能覆盖存储单元固定错误的一种失效模式,离线测试可覆盖多种功能失效模式;由于信号完整性对测试频率的限制,使得在线测试得到的动态功耗电流值要明显小于离线测试得到的动态功耗电流值;由于"印记效应"的存在,在线测试静态功耗电流小于离线测试中器件存储与辐照相反数据时的静态功耗电流值;在线无法测量的一些电参数,有可能先于在线可测参数而失效,这些研究结果对于静态随机存储器在星用辐射环境下的总剂量辐射损伤规律的研究和实验评估具有重要意义。
- 丛忠超余学峰崔江维郑齐文郭旗孙静汪波马武英玛丽娅周航
- 关键词：静态随机存储器
- 不同工艺尺寸静态随机存储器总剂量辐射损伤特征研究
- 通过分析器件功能失效与静态功耗电流上升的关系,结合加入辐射影响因素的HSPICE电路仿真,研究了不同工艺尺寸静态随机存储器(SRAM)的总剂量辐射损伤特征及机制.研究结果表明:微米工艺器件在较小静态功耗电流上升时存储单元...
- 郑齐文余学峰崔江维郭旗任迪远周航
- 关键词：存储器超深亚微米工艺总剂量效应
- 总剂量辐射致0.13um PD SOI NMOSFET热载流子增强效应研究
- 空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,SOI 技术由此进入空间科学应用舞台,这使得器件在应用中面临着深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战,进行SOI NMOSFET 电辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,...
- 周航郑齐文崔江维余学峰郭旗任迪远余德昭苏丹丹
- 关键词：电离辐射热载流子
