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周慧英

作品数:9 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇阳极氧化铝
  • 5篇阳极氧化铝模...
  • 5篇氧化铝模板
  • 4篇离子
  • 4篇离子注入
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇掩模
  • 3篇量子
  • 2篇掩模板
  • 2篇通孔
  • 2篇纳米
  • 2篇金属
  • 2篇金属离子
  • 2篇衬底
  • 2篇成核
  • 1篇电池
  • 1篇电解液
  • 1篇阳极
  • 1篇阳极氧化

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇周慧英
  • 8篇曲胜春
  • 8篇王占国
  • 6篇刘俊朋
  • 4篇王赤云
  • 4篇金鹏
  • 3篇王智杰
  • 1篇陈涌海
  • 1篇曾湘波
  • 1篇许颖
  • 1篇张春林

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法
本发明一种在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法,其特征在于,包含下列步骤:步骤1:取一半导体衬底;步骤2:把制备好的均匀有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上;步骤3:将带有阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入...
周慧英曲胜春王占国
文献传递
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法,包含下列步骤:步骤1.取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板;步骤2.把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上,阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上...
周慧英曲胜春金鹏徐波王赤云刘俊朋王智杰王占国
文献传递
GaAs基图形衬底上GaAs和InAs纳米结构的控位生长
由于量子限制效应带来的优异光学和电学性质,GaAs基半导体低维结构材料在未来的光通信、光电集成和超大规模集成电路方面显示了极为重要的应用前景,受到人们的广泛重视。目前生长GaAs基半导体低维结构材料比较常用的方法是平面应...
周慧英
有机/无机复合体异质结太阳电池
2007年
利用简单的低温工艺制备了纳米晶纤锌矿结构的ZnO,用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)技术进行了表征.利用纳米晶ZnO和共轭聚合物2-甲氧基-5-(3,7.二甲基辛氧基)对苯撑乙烯(MDMO-PPV)制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/ZnO:MDMO-PPV/Al的有机/无机复合体异质结太阳电池,作为对比,同时制备了ITO/PEDOT:PSS/MDMO-PPV/Al结构的纯有机聚合物电池.实验结果表明,添加纳米晶ZnO使其能量转换效率提高了约550倍.PL谱测试结果表明这是由于有高电子亲合能的ZnO提高了电子空穴对分离的能力.另外,光伏性能的提高可能也与ZnO引起的电子传输能力的提高有关.此外,本文分析了ZnO:MDMOPPV体异质结电池性能低于传统电池的原因,并提出了进一步提高其性能的方法.
刘俊朋曲胜春曾湘波许颖陈涌海王智杰周慧英王占国
关键词:太阳电池ZNO纳米晶共轭聚合物
利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法
一种利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法,其特征在于,包含下列步骤:1)取一衬底;2)在衬底上蒸镀金属铝膜;3)将蒸镀有金属铝膜的衬底固定在阳极氧化浴槽装置中;4)蒸镀有金属铝膜的衬底在阳极氧化浴槽中的电解...
周慧英曲胜春徐波张春林王占国
文献传递
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法,包含:步骤1.取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板;步骤2.把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上,形成带有掩模板的半导体GaAs衬底;步骤3.将足够厚的阳极氧化铝模...
周慧英曲胜春金鹏徐波王赤云刘俊朋王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法,包含下列步骤:步骤1:取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板;步骤2:把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上,阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上...
周慧英曲胜春金鹏徐波王赤云刘俊朋王智杰王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法
一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法,包含:步骤1:取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板;步骤2:把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上,形成带有掩模板的半导体GaAs衬底;步骤3:将足够厚的阳极氧化铝模...
周慧英曲胜春金鹏徐波王赤云刘俊朋王占国
文献传递
In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散
2007年
离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.
周慧英曲胜春刘俊朋王占国
关键词:离子注入各向异性扩散
共1页<1>
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