吴长树
- 作品数：20 被引量：12H指数：2
- 供职机构：昆明理工大学更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金云南省应用基础研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 一种砷化铟薄膜材料的制备方法及装置
- 本发明公开一种砷化铟薄膜材料的制备方法及装置，属于半导体制造技术领域。本发明所述方法为：超声清洗单面抛光的单晶Si衬底并吹干，然后将吹干后的单晶Si衬底送入真空腔中加热去氢；加热砷单质使其挥发，让As气流经过单晶Si衬底...
- 刘翔张明郭治平何利利吴长树
- 文献传递
- Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
- 2002年
- 极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。
- 刘翔吴长树张鹏翔赵德锐陈庭金廖仕坤杨家明
- 关键词：极性半导体反相畴
- 生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响
- 本文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响...
- 陈庭金涂洁磊章晨静吴长树
- 关键词：太阳电池结构特性
- 文献传递
- 一种硒化镉薄膜材料的制备方法
- 本发明涉及一种硒化镉薄膜材料的制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明在Si衬底上制备得到InAs薄膜材料；在真空条件下，将硒单质、镉单质预沉积在InAs薄膜材料上得到CdSe缓冲层；将硒单质、镉单质沉积生长CdSe缓冲...
- 刘翔何利利张明吴长树
- Hg_(1-x)Cd_xSe红外薄膜材料研究进展被引量：1
- 2016年
- 硒镉汞(Hg_(1-x)Cd_xSe)作为碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)的红外替代材料受到广泛关注,它具有位错密度低、热膨胀系数小、晶格失配小等优势,可望获得高质量、大面积、廉价长波红外(Long-wavelength infrared,LWIR)焦平面阵列(Focal plane arrays,FPAs)。综述了Hg_(1-x)Cd_xSe材料的最新研究进展,讨论了Hg_(1-x)Cd_xSe薄膜材料在不同衬底和不同生长条件下对薄膜质量的影响及最新研究结果;同时,对Hg_(1-x)Cd_xSe材料的研究进行了展望。
- 郭治平刘翔潘顺臣吴长树陈清明段云彪
- 关键词：碲镉汞平面阵列
- 两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较被引量：1
- 2002年
- 报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好 ;(2 )采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜 ,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础 ;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响 ,(2 11)面外延的GaAs薄膜质量最好 ,(10 0 )面次之 ,(111)
- 刘翔吴长树张鹏翔角忠华赵德锐陈庭金廖仕坤杨家明
- 关键词：GAAS/SI
- 一种硒化镉薄膜材料的制备方法
- 本发明涉及一种硒化镉薄膜材料的制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明在Si衬底上制备得到InAs薄膜材料；在真空条件下，将硒单质、镉单质预沉积在InAs薄膜材料上得到CdSe缓冲层；将硒单质、镉单质沉积生长CdSe缓冲...
- 刘翔何利利张明吴长树
- 文献传递
- 热壁外延生长GaAs/导电玻璃薄膜
- 本文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光...
- 涂洁磊陈庭金章晨静吴长树施兆顺
- 关键词：太阳电池
- 文献传递
- 拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究被引量：5
- 2001年
- 本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、FWHM变窄且峰值频移变小 ,而PL光谱出现在 90 0nm光谱的FWHM较窄 ,这表明所测得的薄膜为单晶晶膜。在另外一些工艺条件下生长的GaAs薄膜拉曼光谱峰形好 ,但测不出PL光谱 ,所生的膜不是单晶。同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度。因此我们可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量。
- 谭红琳张鹏翔刘翔吴长树
- 关键词：半导体薄膜荧光光谱GAAS/SI
- 一种硒化镉薄膜气相外延制备系统
- 本发明涉及一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，属于半导体制造技术领域。该制备系统包括位移系统、控温系统、外延系统、操作箱、固定台、靶材存储箱，固定台固定设置在靶材存储箱顶端，操作箱设置在固定台上，位移系统设置在支撑架上，控温...
- 刘翔何利利杨盛安张明吴长树
