向嵘
- 作品数：17 被引量：26H指数：3
- 供职机构：长春理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率(英文)被引量：3
- 2009年
- 氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4～0.8Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8Pa时沉积速率迅速下降。讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因。
- 姜德龙王新向嵘王国政田景全
- 关键词：氧化硅磁控溅射
- 膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ITO薄膜性质的影响被引量：1
- 2009年
- 采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经X射线衍射(XRD)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ITO薄膜呈现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射峰的半峰全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸增大。经光学透射光谱测量,发现随着膜层厚度的增加,光学透过率逐渐减小。膜层厚度为0.2μm时,可见光透过率超过80%,当膜层厚度为0.8μm时,可见光透过率下降到60%。电学测量结果表明,随着膜层厚度的增加,薄膜电阻率逐渐减小。膜层厚度为0.2μm时,电阻率为9×10-4Ω·cm,膜层厚度为0.8μm时,电阻率为5.5×10-4Ω·cm。
- 王新向嵘李野王国政付申成端木庆铎姜德龙吴奎
- 关键词：氧化铟锡磁控溅射X射线衍射电阻
- 溅射功率对NiO薄膜性质的影响被引量：1
- 2011年
- 在室温条件下,采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备了NiO薄膜,深入研究了不同溅射功率对NiO的结构、光学和电学特性的影响。随着溅射功率的升高,NiO薄膜逐渐由非晶态薄膜转变成具有(111)择优取向的晶态薄膜,同时发现NiO薄膜在可见光区透过率较大,而在紫外光区透过率减小;随着溅射功率的升高,薄膜在可见光区域和紫外区域的光学透过率均明显减小,同时禁带宽度也减小,但导电性增强。
- 王新刘楠向嵘李野端木庆铎田景全
- 关键词：射频磁控溅射氧化镍光学电学
- 氧化锌基紫外光电薄膜及器件的技术研究
- 氧化锌(ZnO)材料是一种宽禁带的半导体材料,室温下,其禁带宽度为3.37eV,具有同第三代半导体材料GaN类似的晶体结构和物理性质,除此之外,它还和其他氧化物一样具有稳定的化学特性和耐高温性质,ZnO材料来源丰富,制备...
- 向嵘
- 关键词：ZNO薄膜紫外探测磁控溅射
- 文献传递
- 硅基高长径比微孔列阵及其应用被引量：2
- 2007年
- 介绍了硅基高长径比微孔列阵形成的多路感应耦合等离子体刻蚀和电化学刻蚀等半导体工艺技术,给出了实验系统、原理、方法和实验结果,指出了工艺中出现的新现象和亟待解决的新问题,阐述了其在二维通道电子倍增器-微通道板中的应用。
- 李野向嵘王国政王新陈力付申成吴奎姜德龙端木庆铎田景全
- 关键词：长径比微通道板半导体工艺
- 在硅衬底上制作台阶生长Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O薄膜的方法
- 在硅衬底上制作台阶生长Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术在硅衬底上引入缓冲层，要么在后续生长的Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-...
- 王新向嵘李野王国政端木庆铎田景全
- SiO_2防离子反馈膜的制备及其性能被引量：3
- 2008年
- 防离子反馈膜是一种覆盖在微通道板输入端的Al2O3或SiO2连续超薄膜,该膜对延长微光像管的使用寿命具有重要的作用。首先采用射频磁控溅射方法在0.5～1μm的有机载膜上制备Si薄膜,然后在4～6Pa氧气下放电使其贴敷到微通道板上,同时使Si膜氧化和有机载膜分解,最后在微通道板输入面上形成满足设计要求的SiO2防离子反馈膜。该制膜方法工艺稳定,重复性好,成品率超过90%。给出了有、无薄膜时微通道板的电子透过特性曲线和膜层厚度与死电压间关系曲线。对相同厚度为5nm的SiO2和Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性进行了分析和比较,得出了SiO2比Al2O3薄膜对电子透过稍好,相应的死电压分别为220V和255V的结论。结合对膜层电子透过和离子阻止特性的综合分析可以看出,SiO2也是制作微通道板防离子反馈膜较为理想的材料之一。为了定量表征微通道板防离子反馈膜的离子阻止能力,最后指出了防离子反馈膜离子透过率的测量是今后该项研究工作的当务之急。
- 姜德龙向嵘吴奎王新王国政付申成
- 关键词：微通道板SIO2防离子反馈膜
- 玻璃和柔性衬底上氧化铟锡薄膜特性的对比研究被引量：2
- 2009年
- 对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料上的氧化铟锡(ITO)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。在两种不同的衬底上均得到了不分相的、高质量的多晶ITO薄膜,其中生长在玻璃衬底上的ITO薄膜(002)衍射峰的半峰宽为0.24°,生长在PET衬底上的为0.28°。两种样品在可见光区都具有很高的透过率,其中玻璃衬底上生长的薄膜的透过率约为92%,PET上生长的薄膜的透过率高达87%。两种薄膜均具有良好的导电性,玻璃衬底上薄膜的电阻率为4.2×10-4Ω.cm,柔性PET衬底上薄膜的电阻率为4.7×10-4Ω.cm。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性衬底上生长出高质量的ITO薄膜。
- 王新向嵘任新光李野姜德龙端木庆铎
- 关键词：氧化铟锡磁控溅射X射线衍射透光率电阻率
- 微通道板SiO_2防离子反馈膜技术研究被引量：5
- 2008年
- 本文利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜.通过对二氧化硅防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出了特性曲线.利用蒙特卡罗模拟方法对二氧化硅和三氧化二铝两种防离子反馈膜的电子透过和离子阻止能力进行了分析和比较,得出了二氧化硅薄膜比三氧化二铝薄膜对电子的透过特性稍好,而后者比前者对离子的阻止能力较优越的结论.
- 李野姜德龙向嵘付申成王国政吴奎王新端木庆铎富丽晨田景全
- 关键词：微通道板二氧化硅防离子反馈膜蒙特卡罗模拟
- Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术被引量：2
- 2008年
- Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性。
- 向嵘王国政陈立高延军王新李野端木庆铎田景全
- 关键词：感应耦合等离子体
