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叶堉

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇碲
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇铁磁
  • 3篇图形化
  • 3篇晶体管
  • 3篇层状材料
  • 2篇导体
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷转移
  • 2篇电路
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结场效应...
  • 2篇制备金属
  • 2篇铁磁半导体
  • 2篇紫外光刻
  • 2篇自旋
  • 2篇自旋电子学

机构

  • 15篇北京大学
  • 2篇山西大学

作者

  • 15篇叶堉
  • 8篇戴伦
  • 2篇李艳平
  • 2篇王海龙
  • 2篇秦国刚
  • 2篇代宇
  • 1篇侯仰龙
  • 1篇张琨
  • 1篇王逸伦

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法
本发明属于微纳米器件、二维电子器件以及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法。目前以元素置换掺杂或物理化学吸附等方式实现的掺杂往往存在工艺复杂、可靠性及稳定性差以及与目前的半导...
韩拯王汉文叶堉赵斯文
一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置
本发明公开了一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置。本发明采用在柔性生长衬底上生长钙钛矿纳米材料，并将柔性生长衬底粘贴在载玻片上，将载玻片固定在三维移动台上，将目标衬底放置在显微镜的载物台上，通过分别调节三维移动平...
王逸伦叶堉戴伦徐晓龙
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大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用
本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜...
徐晓龙叶堉戴伦
文献传递
大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用
本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜...
徐晓龙叶堉戴伦
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一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用
本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用，该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯，半导体MoS<Sub>2</Su...
袁恺王海龙姚笑寒赵建华戴伦叶堉
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一种图形化石墨烯的制备方法
本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶...
叶堉戴伦代宇秦国刚
一种定位自组装有机半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种定位自组装有机半导体薄膜晶体管及其制备方法。本发明以石墨烯和h‑BN为模板进行自组装生长有机半导体薄膜，有机半导体薄膜与石墨烯之间形成较好的接触，从而实现定位自组装有机半导体薄膜晶体管；自组装过程中无需溶...
张琨叶堉戴伦
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半导体纳米线(带)光电子器件的设计、构建和物性研究
纳米材料是纳米科技领域中富有活力、研究内容十分丰富的分支,特别在纳米光子器件、电子器件和光电子器件领域中有着广泛的应用前景。本论文主要研究了CdS、CdSe纳米线(带)的可控生长与掺杂,以获得不同形貌和不同掺杂浓度的Cd...
叶堉
关键词：半导体纳米线光电子器件肖特基结光探测器发光二极管
一种通过电流直接调控铁磁金属磁性的方法
本发明公开了一种通过电流直接调控铁磁金属磁性的方法。本发明突破了传统磁调制的机理方法，无需使用多层结构或牺牲器件性能为代价，在铁磁金属居里温度以下，通过对铁磁金属材料直接注入电流，实现了在单个材料中电流辅助畴壁运动，直接...
侯仰龙曾怡王秋原叶堉
一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法
本发明公开了一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法。利用磁控溅射共蒸的方法在基底上沉积一层掺有杂质元素的Mo薄膜，将该掺杂Mo薄膜放入化学气相沉积设备中，通过控制温度和时间生长掺有杂质元素的大面积连续二维半导体碲化钼薄膜...
潘宇徐晓龙李艳平叶堉
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