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卫芬芬

作品数:6 被引量:4H指数:2
供职机构:石河子大学师范学院物理学系更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇锰氧化物
  • 3篇磁电
  • 3篇磁电阻
  • 3篇磁电阻效应
  • 2篇氧化物
  • 2篇LA0
  • 1篇导体
  • 1篇低场
  • 1篇低场磁电阻
  • 1篇铁氧体
  • 1篇庞磁电阻
  • 1篇庞磁电阻效应
  • 1篇钴铁氧体
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇稀磁半导体材...
  • 1篇居里
  • 1篇居里温度
  • 1篇巨磁阻
  • 1篇巨磁阻效应
  • 1篇矫顽力

机构

  • 4篇华中科技大学
  • 4篇石河子大学

作者

  • 5篇卫芬芬
  • 3篇熊曹水
  • 2篇熊永红
  • 1篇曹海宾
  • 1篇邓东
  • 1篇廖辉
  • 1篇侯娟

传媒

  • 1篇石河子大学学...
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇科技信息

年份

  • 4篇2010
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
稀磁半导体材料的研究进展被引量:2
2010年
本文系统地对稀磁半导体(DMS)材料的发展历史进行了总结,介绍了DMS的分类、物理性质和制备方法,并DMS的研究方向进行了展望。
卫芬芬苟科进廖辉曹海宾邓东
关键词:稀磁半导体巨磁阻效应
IrO_2掺杂对La_(0.7)Ca_(0.2)Sr_(0.1)MnO_3室温磁电阻效应的增强
2010年
将IrO2掺杂到固相反应法制备的La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3(LCSMO)微粉中,制备了(1-x)La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3+xIrO2(LCSMO/IrO2)复合体系。通过X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)以及直流四探针法测试,对复合材料的结构及性能进行了研究。结果发现,在复合体系中,一部分Ir4+离子取代了B位的Mn4+离子,另一部分以IrO2氧化物的形式存在于颗粒的边界处。随着IrO2掺杂量的增加,样品的比饱和磁化强度(σs)快速下降,而居里温度(TC)先下降后上升,电阻率也发生显著变化。与此同时,IrO2的掺杂使样品的低场磁电阻效应(LFMR)和高场磁电阻效应(HFMR)都有所增强,在H=3 kOe,T=307 K,x=5%的样品磁电阻达到11.65%;同样对于x=5%的样品,在H=2 T,T=295 K,磁电阻达到28%,室温磁电阻得到显著增强,这可能与本征磁电阻效应的特点及材料的TC和相变温度接近室温有关,另外掺杂物本身的特性对磁电阻的增强也有一定的影响。
卫芬芬熊曹水熊永红
关键词:庞磁电阻效应锰氧化物
高阻相对La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3磁电阻效应的影响
通过固相反应法制备LaCaSrMnO/xCoFeO(LCSMO/xCFO)复合样品,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)以及直流四探针法测试,对复合材料的结构及磁电性能进行了研究。结...
卫芬芬熊曹水熊永红
关键词:锰氧化物居里温度低场磁电阻固相反应
文献传递
CoFe_2O_4铁氧体的固相反应法制备及其磁特性被引量:2
2010年
以Co2O3和Fe3O4为原料,采用固相反应法合成了尖晶石型CoFe2O4多晶材料,分别在不同温度下进行了热处理,利用STA、XRD、SEM、VSM等测试技术对CoFe2O4样品煅烧前后的结构、微观形貌和磁性能进行了测量和分析。结果表明:采用固相反应法制备的CoFe2O4前驱物经煅烧后可获得纯度较高、晶粒生长完整的CoFe2O4磁性微粒。煅烧温度对微粒粒径和磁性能有较大影响,随着煅烧温度的升高,CoFe2O4磁性微粒的粒径增大。样品室温下的比饱和磁化强度(σs)随煅烧温度的增加而增大,煅烧温度从1000℃到1200℃,样品的sσ从30.46 emu/g变到81.89 emu/g;而矫顽力(Hc)则随着煅烧温度的增加而减小,煅烧温度从1000℃到1200℃,样品的Hc从650 Oe变到330 Oe。
卫芬芬侯娟熊曹水熊永红
关键词:固相反应法钴铁氧体比饱和磁化强度矫顽力
La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3与CoFe2O4和IrO2复合体中磁电阻效应的研究
目前,由于钙钛矿锰氧化物具有庞磁电阻效应而引起人们的广泛关注,这不仅是因为庞磁电阻效应(CMR)具有巨大的潜在应用前景,而且对其起因的了解涉及到许多基础性的物理问题。对于在多晶材料中发现的与颗粒边界相关的非本征磁电阻效应...
卫芬芬
关键词:复合体钙钛矿锰氧化物磁电阻效应
文献传递
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