刘熙
- 作品数：15 被引量：12H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程更多>>
- 大尺寸15R 碳化硅晶体的制备方法
- 本发明涉及一种大尺寸15R碳化硅晶体的制备方法，包括：将已填充含碳和硅的原料并已粘结或固定籽晶的坩埚放入晶体生长炉，其中所述籽晶相与所述原料隔开一定距离；对所述晶体生长炉进行抽真空，待真空度小于10<Sup>-3</Su...
- 高攀刘熙严成锋忻隽孔海宽刘学超郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：9
- 2013年
- SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响。结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N。最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备。
- 高攀刘熙严成锋忻隽陈建军孔海宽郑燕青施尔畏
- 关键词：SIC晶体粒径堆积密度
- 升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响
- 2013年
- 本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由"倒温度差"区间的温度、持续时间和"倒温度差"绝对值综合决定。在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料"倒温度差"区间内温度值变小且减缓反应;同时还使"倒温度差"绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运。同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果。
- 刘熙高攀严成锋孔海宽忻隽陈建军施尔畏
- 关键词：碳化硅生长速率有限元
- 轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置
- 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温...
- 刘熙严成峰忻隽孔海宽肖兵杨建华施尔畏
- 文献传递
- 一种高效SiC晶体扩径方法
- 本发明涉及一种高效SiC晶体扩径方法，在籽晶托上固定由小尺寸籽晶拼接而成的大尺寸籽晶，采用物理气相传输生长方法生长大尺寸碳化硅晶体。本发明将小尺寸籽晶拼接为大尺寸籽晶，由此易于获得大尺寸（例如4英寸以上）的碳化硅籽晶，从...
- 高攀刘熙严成锋忻隽孔海宽郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究
- SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3]。本文采用高温合成炉,选择Si粉和C...
- 高攀刘熙陈建军严成锋忻隽孔海宽施尔畏
- 文献传递
- Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响被引量：1
- 2013年
- 本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用。
- 姜涛严成锋陈建军刘熙杨建华施尔畏
- 关键词：6H-SIC退火AFM
- N-B-Al共掺荧光4H-SiC施主受主对发光性能研究被引量：1
- 2017年
- 施主受主共掺杂的荧光4H-SiC可以通过复合发出可见光,影响其发光性能的一个重要因素是施主–受主掺杂的浓度。本研究通过PVT生长方法制备了3英寸N-B-Al共掺的4H-SiC晶体,采用Raman光谱、SIMS对晶体的结晶类型和掺杂浓度进行了表征;采用PL发射谱和激发谱、荧光衰减曲线表征和内量子效率对晶体的发光波长、强度、施主–受主对复合发光性能进行了研究。结果发现,低浓度Al掺杂样品在室温下发出黄绿色荧光。低浓度Al掺杂在晶体中提供较少的受主;高浓度B、N掺杂形成施主,从而贡献充足的电子–空穴对。这些电子–空穴的复合提高了施主–受主对复合的内量子效率,进而增强光致发光强度,增加平均发光寿命。
- 卓世异刘熙高攀严成锋施尔畏
- 关键词：碳化硅光致发光内量子效率
- SiC同质外延薄膜中Ehrlich-Schwoebel势垒的计算
- 台阶位置和平面位置原子构型的区别,在台阶位置存在额外的势垒,即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒。ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响,不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最大生长速率,还会影响生长过程中台阶...
- 郭慧君黄维刘熙卓世异周仁伟郑燕青施尔畏
- 关键词：4H-SIC分子动力学模拟
- 文献传递
- SiC同质外延薄膜中Ehrlich-Schwoebel势垒的计算
- 台阶位置和平面位置原子构型的区别，在台阶位置存在额外的势垒，即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒.ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响，不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最大生长速率，还会影响生长过程中台阶...
- 郭慧君黄维刘熙卓世异周仁伟郑燕青施尔畏
- 关键词：4H-SIC分子动力学模拟
