您的位置： 专家智库 > >

刘权

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电极
  • 4篇氧化亚锡
  • 4篇双极性
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇电子束蒸发法
  • 2篇多晶
  • 2篇氧化物
  • 2篇阴极锌
  • 2篇栅结构
  • 2篇蒸发法
  • 2篇织构
  • 2篇探测器
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏传感器
  • 2篇迁移率
  • 2篇金属
  • 2篇金属氧化物
  • 2篇晶体管
  • 2篇开关比
  • 2篇溅射

机构

  • 10篇中国科学院宁...

作者

  • 10篇梁凌燕
  • 10篇曹鸿涛
  • 10篇刘权
  • 8篇罗浩
  • 6篇李秀霞
  • 2篇秦瑞锋

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
pn结及其制备方法
本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有...
梁凌燕李秀霞曹鸿涛罗浩刘权秦瑞锋
文献传递
一种双极性薄膜晶体管
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，从下至上依次包括：衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层，所述沟道层上设有源极和漏极，源极与沟道层的接触面和漏极与沟道层的接触面上分别设有透明的势垒层，所述势垒层材质的禁带宽度大于所述的沟道层...
刘权梁凌燕罗浩邓福岭曹鸿涛
文献传递
一种氮化锌锡多晶薄膜的制备方法
本发明公开了一种氮化锌锡多晶薄膜的制备方法，首先将清洗好的衬底和锌锡合金靶材放置在磁控溅射设备相应位置后，抽真空；再通入氮气，调节工作气压为1～3Pa，溅射功率为120～300W，经N离子轰击阴极锌锡合金靶材，在衬底上沉...
梁凌燕曹鸿涛邓福岭刘权李秀霞罗浩
文献传递
双极性薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管及其制备方法，其中双极性薄膜晶体管包括衬底；位于衬底表面的栅电极和位于栅电极表面的栅介质层；位于栅介质层表面的氧化物沟道层；位于氧化物沟道层表面的源电极和漏电极；以及位于源电极和漏电极之间...
梁凌燕曹鸿涛罗浩刘权李秀霞邓福岭
氧化亚锡织构薄膜及其制备方法
本发明公开了一种氧化亚锡织构薄膜及其制备方法，本发明采用电子束蒸发法在衬底上依次沉积得到氧化亚锡主体层和金属氧化物覆盖层，通过金属氧化物覆盖层的作用改变氧化亚锡薄膜的表面能，进而达到控制热处理过程中氧化亚锡主体层结晶取向...
刘权梁凌燕曹鸿涛
文献传递
氧化亚锡织构薄膜及其制备方法
本发明公开了一种氧化亚锡织构薄膜及其制备方法，本发明采用电子束蒸发法在衬底上依次沉积得到氧化亚锡主体层和金属氧化物覆盖层，通过金属氧化物覆盖层的作用改变氧化亚锡薄膜的表面能，进而达到控制热处理过程中氧化亚锡主体层结晶取向...
刘权梁凌燕曹鸿涛
文献传递
pn结及其制备方法
本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有...
梁凌燕李秀霞曹鸿涛罗浩刘权秦瑞锋
文献传递
一种双极性薄膜晶体管
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，从下至上依次包括：衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层，所述沟道层上设有源极和漏极，源极与沟道层的接触面和漏极与沟道层的接触面上分别设有透明的势垒层，所述势垒层材质的禁带宽度大于所述的沟道层...
刘权梁凌燕罗浩邓福岭曹鸿涛
文献传递
一种氮化锌锡多晶薄膜的制备方法
本发明公开了一种氮化锌锡多晶薄膜的制备方法，首先将清洗好的衬底和锌锡合金靶材放置在磁控溅射设备相应位置后，抽真空；再通入氮气，调节工作气压为1～3Pa，溅射功率为120～300W，经N离子轰击阴极锌锡合金靶材，在衬底上沉...
梁凌燕曹鸿涛邓福岭刘权李秀霞罗浩
文献传递
双极性薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管及其制备方法，其中双极性薄膜晶体管包括衬底；位于衬底表面的栅电极和位于栅电极表面的栅介质层；位于栅介质层表面的氧化物沟道层；位于氧化物沟道层表面的源电极和漏电极；以及位于源电极和漏电极之间...
梁凌燕曹鸿涛罗浩刘权李秀霞邓福岭
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0