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刘战峰

作品数：25 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇半导体
  • 6篇刻蚀
  • 4篇沟道
  • 4篇半导体器件
  • 4篇衬底
  • 3篇单芯片
  • 3篇悬臂
  • 3篇悬臂梁
  • 3篇制作方法
  • 3篇离子刻蚀
  • 3篇逻辑器件
  • 3篇纳米
  • 3篇键合
  • 3篇红外
  • 3篇反应离子
  • 3篇反应离子刻蚀
  • 3篇存储器
  • 2篇单片
  • 2篇导体
  • 2篇低应力

机构

  • 24篇中国科学院微...

作者

  • 24篇刘战峰
  • 16篇殷华湘
  • 13篇毛淑娟
  • 7篇张青竹
  • 6篇欧文
  • 6篇罗军
  • 4篇刘金彪
  • 4篇李永亮
  • 4篇李俊杰
  • 3篇蒋文静
  • 3篇王桂磊
  • 3篇王文武
  • 2篇陈大鹏
  • 2篇刘卫兵
  • 1篇叶甜春
  • 1篇王玮冰
  • 1篇谢玲
  • 1篇闫江
  • 1篇李俊峰
  • 1篇李志刚

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 14篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件及其制造方法
本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成位于第一层间介质层中的第一器件，在第一层间介质层上形成第二器件，第二器件包括源极、漏极、源极和漏极之间的沟道和与沟道连接的栅极，其中第二器件的源漏为金属硅化物，沟道为硅...
毛淑娟殷华湘刘战峰张亚东张青竹罗军
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一种钨复合膜层及其生长方法、单片3DIC
本发明涉及一种钨复合膜层及其生长方法、单片3DIC，属于半导体制造技术领域，解决了现有方法生长的钨应力大，导致单晶硅层起皱的问题。钨复合膜层位于半导体衬底上，包括靠近半导体衬底侧的第一膜层和远离半导体衬底侧的第二膜层；第...
刘战峰殷华湘刘卫兵毛淑娟罗彦娜
一种半导体器件及其制造方法
本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成位于第一层间介质层中的第一器件，在第一层间介质层上形成第二器件，第二器件包括源极、漏极、源极和漏极之间的沟道和与沟道连接的栅极，其中第二器件的源漏为金属锗硅化物，沟道为...
毛淑娟刘战峰殷华湘刘金彪王桂磊李永亮罗军
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一种纳米网的制备方法
本发明涉及一种垂直纳米网的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与氮化硅，形成氮化硅纳米网阵列，再以SiNx纳米网阵列为掩膜刻蚀衬底硅，形成垂直纳米纳...
张青竹田佳佳李俊杰吴次南张兆浩殷华湘刘战峰毛淑娟张静王文武屠海令
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一种纳米线MIM阵列器件及制备方法
本发明涉及一种纳米线MIM阵列器件的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与金属层，形成金属层纳米线MIM阵列器件阵列，再做金属接触互联工艺，最后制备...
田佳佳张青竹殷华湘张兆浩李俊杰李永亮吴次南刘战峰毛淑娟王文武屠海令
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半导体结构及其制备方法
本发明提供的一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括半导体衬底，其内部形成有包括N沟道和P沟道的CMOS电路结构；堆叠结构，位于所述半导体衬底之上，且内部形成有源极和漏极以及与该源极和漏极电连接的氧化层，所述...
殷华湘毛淑娟刘战峰张兆浩张青竹罗彦娜周娜罗军
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红外焦平面阵列器件及其制作方法
本发明提供一种红外焦平面阵列器件，包括：衬底；空腔，位于所述衬底内；红外传感层，悬空于所述空腔的上方；悬臂梁，悬空于所述衬底上方，一端与衬底固定连接，另一端与红外传感层固定连接；红外反射层，遮盖于所述红外传感层的上方并且...
欧文刘战峰
一种平坦化的方法
本发明提供了提出了一种平坦化的方法，包括：提供衬底，衬底上形成有填充层；在填充层上形成光刻胶层；采用等离子体刻蚀进行光刻胶层和填充层的回刻，光刻胶层与填充层具有基本相同的刻蚀速率。利用本发明的方法在回刻后，可以获得平坦的...
李俊杰李春龙刘战峰吕玉菲李俊峰闫江
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一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法
本发明涉及一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法，该方法包括：提供牺牲层衬底和目标衬底，在牺牲层衬底上形成第一氧化层，在目标衬底上形成第二氧化层；在第一氧化层上依次形成二维材料层以及第三氧化层，并对第三氧化层以及二维...
张亚东刘战峰吴振华殷华湘
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一种三维NAND存储器及其制备方法
本发明公开了一种三维NAND存储器及其制备方法，包括：制备第一半导体结构，作为三维垂直存储阵列；其中，三维垂直存储阵列包括多个三维垂直存储单元，以及第一绝缘层；在第一绝缘层上键合第一材料层；并对第一材料层进行第一减薄处理...
殷华湘刘战峰罗彦娜叶甜春
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