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何宇亮

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电阻
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇硅

机构

  • 1篇华南师范大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇柳翠霞
  • 1篇何宇亮
  • 1篇王卫乡
  • 1篇陈伟
  • 1篇陈伟
  • 1篇陈伟
  • 1篇鲍忠兴
  • 1篇陈伟

传媒

  • 1篇高压物理学报

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变被引量：2
1999年
在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５～１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳米晶Ｓｉ在室温下、２４ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明。
鲍忠兴何宇亮王卫乡王卫乡柳翠霞
关键词：纳米晶电阻电容硅
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共1页<1>
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